[实用新型]一种叠层电容的结构单元有效
| 申请号： | 201220116314.4 | 申请日： | 2012-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN202585130U | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 林华森;袁德喜;汪阳 | 申请（专利权）人： | 成都市华森电子信息产业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01G4/30 | 分类号： | H01G4/30;H01G4/005 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 王萍萍 |
| 地址： | 610041 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电容 结构 单元 | ||
1.一种叠层电容的结构单元，其特征在于，包括第一双层导电层、第一介质层、中间导电层、第二介质层和第二双层导电层，所述第一介质层在所述第一双层导电层和所述中间导电层之间，所述第二介质层在所述中间导电层和所述第二双层导电层之间，所述第一双层导电层和所述第二双层导电层连接到第一极性电极，所述中间导电层连接到第二极性电极，所述第一双层导电层内的导电层之间具有第三介质层，所述第二双层导电层内的导电层之间具有第四介质层。
2.如权利要求1所述的叠层电容的结构单元，其中所述第一极性电极为正电极，所述第二极性电极为负电极。
3.如权利要求1所述的叠层电容的结构单元，其中所述第一极性电极为负电极，所述第二极性电极为正电极。
4.如权利要求2或3所述的叠层电容的结构单元，其中所述第一介质层、所述第二介质层、所述第三介质层与所述第三介质层的材料皆为陶瓷。
5.如权利要求2或3所述的叠层电容的结构单元，其中所述第一介质层与所述第二介质层的厚度相同，为第一厚度；所述第三介质层与所述第四介质层的厚度相同，为第二厚度。
6.如权利要求5所述的叠层电容的结构单元，其中所述第二厚度为所述第一厚度的1/18到1/22。
7.如权利要求2或3所述的叠层电容的结构单元，其中所述第一介质层与所述第二介质层的厚度相同，为第一厚度；所述第三介质层与所述第四介质层的厚度不相同，所述第三介质层的厚度与所述第四介质层的厚度中的较大的厚度为第二厚度。
8.如权利要求7所述的叠层电容的结构单元，其中所述第二厚度为所述第一厚度的1/18到1/22。
9.如权利要求6或8所述的叠层电容的结构单元，其中所述中间导电层的厚度与所述第二厚度相同。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都市华森电子信息产业有限责任公司，未经成都市华森电子信息产业有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220116314.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
