[实用新型]一种采用垂直电感的压控振荡器电路

权利要求书

1. 一种采用垂直电感的压控振荡器电路，包括两个NMOS管、两个PMOS管、两个固定电容、两个可变电容、两个偏置电容、两个偏置电阻和一个垂直电感，其特征在于：第一PMOS管(MP1)的源极和第二PMOS管(MP2)的源极与电源电压连接，第一NMOS管(MN1)的源极和第二NMOS管(MN2)的源极接地；

第一PMOS管(MP1)的漏极、第二PMOS管(MP2)的栅极、垂直电感(L)的一端、第一偏置电容(C1)的一端、第一固定电容(Cfix1)的一端、第一NMOS管(MN1)的漏极、第二NMOS管(MN2)的栅极连接作为同相输出端(Vout+)；第二PMOS管(MP2)的漏极、第一PMOS管(MP1)的栅极、垂直电感(L)的另一端、第二偏置电容(C2)的一端、第二固定电容(Cfix2)的一端、第二NMOS管(MN2)的漏极、第一NMOS管(MN1)的栅极连接作为反相输出端(Vout-)；第一固定电容(Cfix1)的另一端与第二固定电容(Cfix2)的另一端连接；

第一偏置电容(C1)的另一端和第一偏置电阻(R1)的一端与第一可变电容(Cvar1)的一端连接，第二偏置电容(C2)的另一端和第二偏置电阻(R2)的一端与第二可变电容(Cvar2)的一端连接，第一可变电容(Cvar1)的另一端与第二可变电容(Cvar2)的另一端连接作为电压控制端(Vtune)，第一偏置电阻(R1)的另一端与第二偏置电阻(R2)的另一端连接作为偏置电压输入端(Vbias)。

2.如权利要求1所述的一种采用垂直电感的压控振荡器电路，其特征在于：所述的垂直电感包括三层金属层，第二金属层第一金属线(11)的一端经过通孔(V11)和第一金属层第一金属线(12)的一端相连，第一金属层第一金属线(12)的另一端经过通孔(V12)、第二金属层第二金属线(13)及通孔(V13)和第三金属层第一金属线(14)的一端相连，第三金属层第一金属线(14)的另一端经过通孔(V14)、第二金属层第三金属线(15)、通孔(V15)和第一金属层第二金属线(21)的一端相连，第一金属层第二金属线(21)的另一端经过通孔(V21)、第二金属层第四金属线(22)、通孔(V22)和第三金属层第二金属线(23)的一端相连，第三金属层第二金属线(23)的另一端经过通孔(V23)和第二金属层第五金属线(24)的一端相连，第二金属层第五金属线(24)的另一端经过通孔(V31)和第三金属层第三金属线(31)的一端相连，第三金属层第三金属线(31)的另一端经过通孔(V32)、第二金属层第六金属线(32)、通孔(V33)和第一金属层第三金属线(33)的一端相连，第一金属层第三金属线(33)的另一端经过通孔(V34)和第二金属层第七金属线(34)的一端相连；同层金属线相互绝缘。