[实用新型]一种采用垂直电感的压控振荡器电路有效

专利信息
申请号: 201220125599.8 申请日: 2012-03-29
公开(公告)号: CN202524360U 公开(公告)日: 2012-11-07
发明(设计)人: 高海军;孙玲玲;刘军 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: H03B5/08 分类号: H03B5/08
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 杜军
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 采用 垂直 电感 压控振荡器 电路
【说明书】:

技术领域

本实用新型属于微电子技术领域,涉及一种采用垂直电感的电容电感型压控振荡器。

背景技术

电容电感型压控振荡器是无线收发前端电路中的关键模块。电容电感型压控振荡器的相位噪声决定了接收机的接收灵敏度,它的相位噪声性能主要由片上螺旋电感的品质因数决定。传统硅集成电感主要是平面螺旋形的,它是利用标准CMOS工艺的两层(或多层)金属层来实现电感元件,其中一层用作螺旋式电感线圈,另一层用作把中间的接头接出来的引线。标准工艺中的片上集成螺旋电感占用面积较大,使得电容电感型压控振荡器的加工成本较大;同时电感与衬底通过电磁耦合引起的损耗,使得片上螺旋电感的品质因数较低,电容电感型的压控振荡器的相位噪声性能受限。

发明内容

本实用新型的目的是针对现有技术的不足,提供一种采用垂直电感的压控振荡器电路。

本实用新型包括两个NMOS管、两个PMOS管、两个固定电容、两个可变电容、两个偏置电容、两个偏置电阻和一个垂直电感。

第一PMOS管的源极和第二PMOS管的源极与电源电压连接,第一NMOS管的源极和第二NMOS管的源极接地;

第一PMOS管的漏极、第二PMOS管的栅极、垂直电感的一端、第一偏置电容的一端、第一固定电容的一端、第一NMOS管的漏极、第二NMOS管的栅极连接作为同相输出端;第二PMOS管的漏极、第一PMOS管的栅极、垂直电感的另一端、第二偏置电容的一端、第二固定电容的一端、第二NMOS管的漏极、第一NMOS管的栅极连接作为反相输出端;第一固定电容的另一端与第二固定电容的另一端连接;

第一偏置电容的另一端和第一偏置电阻的一端与第一可变电容的一端连接,第二偏置电容的另一端和第二偏置电阻的一端与第二可变电容的一端连接,第一可变电容的另一端与第二可变电容的另一端连接作为电压控制端,第一偏置电阻的另一端与第二偏置电阻的另一端连接作为偏置电压输入端。

垂直电感包括三层金属层,第二金属层第一金属线的一端经过通孔和第一金属层第一金属线的一端相连,第一金属层第一金属线的另一端经过通孔、第二金属层第二金属线及通孔和第三金属层第一金属线的一端相连,第三金属层第一金属线另一端经过通孔、第二金属层第三金属线、通孔和第一金属层第二金属线的一端相连,第一金属层第二金属线的另一端经过通孔、第二金属层第四金属线、通孔和第三金属层第二金属线的一端相连,第三金属层第二金属线的另一端经过通孔和第二金属层第五金属线的一端相连,第二金属层第五金属线的另一端经过通孔和第三金属层第三金属线的一端相连,第三金属层第三金属线的另一端经过通孔、第二金属层第六金属线、通孔和第一金属层第三金属线的一端相连,第一金属层第三金属线的另一端经过通孔和第二金属层第七金属线的一端相连;同层金属线相互绝缘。

本实用新型采用垂直结构的片上集成电感,使之与标准工艺兼容的情况下能大大节省电容电感型压控振荡器的面积;同时这种垂直电感结构能减小电感覆盖衬底的面积、减小在衬底中以及衬底表面区域感应产生的涡旋电流,从而降低衬底能量损耗和提高电感的品质因数,因此电容电感型的压控振荡器相位噪声性能也大大提高。

附图说明

图1为本实用新型的电路图;

图2-1为图1中垂直电感的一个立体结构示意图;

图2-2为图1中垂直电感的另一个立体结构示意图。

具体实施方式

如图1所示,一种采用垂直电感的压控振荡器电路包括两个NMOS管、两个PMOS管、两个固定电容、两个可变电容、两个偏置电容、两个偏置电阻和一个垂直电感。

第一PMOS管MP1的源极和第二PMOS管MP2的源极与电源电压连接,第一NMOS管MN1的源极和第二NMOS管MN2的源极接地;

第一PMOS管MP1的漏极、第二PMOS管MP2的栅极、垂直电感L的一端、第一偏置电容C1的一端、第一固定电容Cfix1的一端、第一NMOS管MN1的漏极、第二NMOS管MN2的栅极连接作为同相输出端Vout+;第二PMOS管MP2的漏极、第一PMOS管MP1的栅极、垂直电感L的另一端、第二偏置电容C2的一端、第二固定电容Cfix2的一端、第二NMOS管MN2的漏极、第一NMOS管MN1的栅极连接作为反相输出端Vout-;第一固定电容Cfix1的另一端与第二固定电容Cfix2的另一端连接;

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