[实用新型]一种单镶嵌层无蜡研磨抛光模板有效
申请号: | 201220132210.2 | 申请日: | 2012-03-31 |
公开(公告)号: | CN202507187U | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
发明(设计)人: | 高如山 | 申请(专利权)人: | 天津西美科技有限公司 |
主分类号: | B24D13/02 | 分类号: | B24D13/02 |
代理公司: | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人: | 冯舜英 |
地址: | 300000 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 镶嵌 层无蜡 研磨 抛光 模板 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体材料抛光装置领域,具体涉及一种应用于单面抛光机上的单镶嵌层无蜡研磨抛光模板。
背景技术
在半导体材料的加工过程中,硅片、蓝宝石和砷化镓作为常用半导体器件、集成电路的基础材料,经常需要对其进行抛光处理,而抛光技术的好坏将直接影响到硅片、蓝宝石和砷化镓表面的质量,半导体器件的性能,传统的抛光技术主要有两种:有蜡抛光和无蜡抛光,有蜡技术是将硅片、蓝宝石或者是砷化镓粘结固定于陶瓷盘的平板上,抛光时抛光头带动陶瓷盘在抛光布上转动,在机械压力和抛光液体的作用下实现抛光目的,实践发现,这种有蜡抛光存在蜡污染,抛光精度低的缺陷,随着电子技术的迅速发展,以及大规模集成电路的集成化程度越来越高,人们对半导体器件的要求也愈加严格,因此无蜡抛光的优势逐渐得以体现,现有的无蜡抛光技术,中国专利CN87202507中涉及到一种无蜡抛光垫,在长期的使用过程发现:这种无蜡抛光垫存在如下的缺陷:一、结构复杂,不易加工,且使用不便;二、抛光垫的吸附层极易出现磨损,当吸附层出现磨损时必须更换整个抛光垫,因此更换成本比较高;三、抛光处理后硅片的厚度偏差(TTV)较大,无法满足高标准技术需求。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是对现有无蜡抛光垫进行改进,提出一种加工效率高、使用寿命长、节约成本的单镶嵌层无蜡研磨抛光模板。
为解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案为:一种单镶嵌层无蜡研磨抛光模板,其特征在于:所述单镶嵌层无蜡研磨抛光模板是由四个圆柱状的层状物组成的复合结构,所述复合结构由上到下依次为:第一层是镶嵌层,所述镶嵌层上设有至少一个置片孔;第二层是上粘接层;第三层是衬底层;第四层是下粘接层。
作为优选方案,本实用新型还采用了如下技术特征:
所述置片孔内设有吸附垫。
所述置片孔的形状与待研磨抛光材料的外形相匹配。
所述置片孔为圆形孔。
所述置片孔为矩形孔。
所述单镶嵌层无蜡研磨抛光模板的材质为金属板。
所述单镶嵌层无蜡研磨抛光模板的材质为陶瓷板
本实用新型具有的优点和积极效果是:通过采用上述技术特征,一、通过将原有的七层无蜡抛光垫改进为四层结构,使得其结构大大简化,有易于加工和使用,同时节省了加工原材料;二、通过增设可分离的吸附垫,提高了抛光模板的整体使用寿命,减少了生产成本;三、所述单镶嵌层无蜡研磨抛光模板的四层结构均采用同一种材料加工而成,同时通过增设可分离的吸附垫,有效减小了硅片成品的厚度偏差(TTV)。
附图说明
图1是本实用新型一种单镶嵌层无蜡研磨抛光模板的第一实施例俯视图;
图2是本实用新型一种单镶嵌层无蜡研磨抛光模板的第二实施例俯视图;
图3是本实用新型一种单镶嵌层无蜡研磨抛光模板的A-A截面图。
图中:1、置片孔;2、镶嵌层;3、上粘接层;4、衬底层;5、下粘接层;6、吸附垫。
具体实施方式
为能进一步了解本实用新型的内容、特点及功效,兹例举以下实施例,并配合附图详细说明如下:
如图1和图2所示:一种单镶嵌层无蜡研磨抛光模板,所述单镶嵌层无蜡研磨抛光模板的镶嵌层2上设有至少一个置片孔1,在图1中,所述置片孔1为圆形孔;在图2中,所述置片孔1为为矩形孔;在实际加工过程中,所述置片孔1的形状可以根据待研磨抛光材料的外形进行加工匹配。
如图3所示:一种单镶嵌层无蜡研磨抛光模板,所述单镶嵌层无蜡研磨抛光模板是由四个圆柱状的层状物组成的复合结构,所述复合结构由上到下依次为:第一层是镶嵌层2;第二层是上粘接层3,所述上粘接层3用于实现对镶嵌层2和衬底层4的连接;第三层是衬底层4;第四层是下粘接层5;所述下粘接层5用于将单镶嵌层无蜡研磨抛光模板固定于抛光机上;为了减小单镶嵌层无蜡研磨抛光模板的磨损速度,在所述置片孔1内设有吸附垫6。
在实际加工过程中,所述单镶嵌层无蜡研磨抛光模板的材质经常采用树脂玻纤板(也可以采用陶瓷板、金属板或者其它平整性能达到要求的板材);
本实用新型的单镶嵌层无蜡研磨抛光模板的四层结构采用同一种材质,同时通过在置片孔1内设置吸附垫6,有效减小了硅片成品的厚度偏差,比如2英寸的半导体片的厚度偏差小于3μm,4英寸的半导体片的厚度偏差小于5μm。
以上对本实用新型的具体实施例进行了详细说明,但所述内容仅为本实用新型的较佳实施例,不能被认为用于限定本实用新型的实施范围。凡依本实用新型申请范围所作的均等变化与改进等,均应仍归属于本实用新型的专利涵盖范围之内。
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