[实用新型]半导体封装结构

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体制造领域技术，尤其涉及一种半导体封装结构。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，单个芯片的功能越来越强大，但对芯片的尺寸要求越来越小，单位面积的I/O数量也相应得越来越多，转接板的出现解决了这一问题。

现有技术中，通常是通过硅通孔技术在转接板上形成通孔，并在转接板的正面重布线电路，背面重布线电路，并制作与PCB板焊垫尺寸相匹配凸点，以解决与PCB不兼容问题。

但是，现有的这种转接板封装技术中，由于转接板的通孔工艺难度，导致转接板不能过厚，为了保证其性能，通常采用临时压合（Temporary bonding）工艺将转接板和一临时基板压合在一起，再进行接下来的制程，等封装完成后再将转接板上的临时基板进行剥离，工艺较复杂且成本较高。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种半导体封装结构，其通过在转接板上设置可容纳芯片的收容空间，降低了转接板封装的工艺难度。

为实现上述实用新型目的，本实用新型提供一种半导体封装结构，所述封装结构包括：

芯片，其上设置有多个金属凸点；

转接板，所述转接板上表面凹陷有收容空间，所述芯片收容于所述收容空间内；

多个通孔，贯穿所述转接板与所述收容空间连通，所述通孔内设置有导电介质，所述导电介质电性连接设置于转接板下表面的再分布电路，所述再分布电路上设有多个焊接凸点；

其中，所述金属凸点与所述导电介质电性连接，所述多个焊接凸点的节距大于所述多个金属凸点的节距。

作为本实用新型的进一步改进，所述封装结构还包括设置于所述通孔内壁上的第一绝缘层。

作为本实用新型的进一步改进，所述封装结构还包括设置于所述转接板下表面的第二绝缘层，所述再分布电路设置于所述第二绝缘层上。

作为本实用新型的进一步改进，所述封装结构还包括设置于所述再分布电路上的防焊层，所述防焊层开设有部分暴露所述再分布电路的开口，所述焊接凸点通过所述开口与所述再分布电路电性连接。

作为本实用新型的进一步改进，所述金属凸点的位置与所述通孔的位置相匹配。

作为本实用新型的进一步改进，所述导电介质为填充于所述通孔内的金属材料。

与现有技术相比，本实用新型通过在转接板上设置可容纳芯片的收容空间，降低了转接板封装的工艺难度，进而降低了生产成本。

附图说明

图1是本实用新型一实施方式半导体封装结构的结构示意图；

图2是本实用新型一实施方式的半导体封装方法的流程图。

具体实施方式

以下将结合附图所示的具体实施方式对本实用新型进行详细描述。但这些实施方式并不限制本实用新型，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本实用新型的保护范围内。

参图1，介绍本实用新型的半导体封装结构的一实施方式。该封装结构包括芯片20、转接板10。这里所说的“芯片20”可以包括无源器件、集成电路芯片等。

转接板10具有上表面100a以及与上表面100a相背的下表面100b，该转接板10的上表面100a凹陷有收容空间11，芯片20设置于收容空间11内。在所述转接板10上还设有多个通孔，该通孔贯穿该转接板10并与收容空间11连通，所述通孔内设置有导电介质12。

在本实施方式中，收容空间11的截面呈矩形状。在其它替换的实施方式中，该收容空间11的截面也可以呈梯形状。也就是说，这里所说的收容空间11可以包括一个、两个乃至更多个互相连通的收容空间，这样，本实用新型提供的半导体封装结构可以封装不止一个的芯片，以满足多个芯片集成的封装需求。相对于不设置收容空间11的转接板封装，本实用新型提供的这种封装结构体积更小，更加适应未来轻薄化的封装需求，且封装完成的芯片20不易受到外界环境的影响，可以提高封装的良率。

所述芯片20的一面上设置有多个金属凸点21，该多个金属凸点21分别电性连接于所述芯片20的多个焊垫上，其通过该金属凸点21与导电介质12电性连接，并且，作为优选的实施方式，收容空间11内还填充有绝缘介质。这样做的好处是：可以进一步加强芯片20与转接板10的固定，并且减小外界环境对芯片20的影响，提高封装品质。该绝缘介质的形成材料为光刻胶或树脂胶。

在本实施方式中，该半导体封装结构还包括第一绝缘层131和第二绝缘层132。其中，第一绝缘层131形成于通孔的内壁上；第二绝缘层132形成于转接板10的下表面100b。