[实用新型]堆叠封装的下封装体构造

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种封装构造，特别是有关于一种堆叠封装的下封装体的封装构造。

背景技术

现今，随着电子装置的尺寸减小，半导体封装产业为了满足各种高密度封装的需求，逐渐发展出各种不同型式的封装设计，其中各种不同的系统封装(system in package，SIP)设计概念常用于架构高密度封装产品。近年来，针对各种电子设备应用等已经引入了堆叠式半导体(package on package，POP)封装。此种堆叠式半导体封装是将已经分别完成封装工艺的多个半导体封装构造经过堆叠形成一个封装整体，从而减小了整体的封装尺寸。

然而，所述堆叠式半导体封装在实际使用上仍具有下述问题，例如：为了降低整体的封装高度(例如小于1毫米)，此种堆叠式封装构造所使用的载板，特别是下封装体的载板，其厚度亦需符合薄型化的趋势。由于下封装体的载板本身材料与载板上方的封胶体材料两者之间的热膨胀系数(CTE)不匹配，因此在制造过程中以及在使用过程中产生高温时，下封装体的载板即容易热胀冷缩而发生翘曲(warpage)，从而导致如芯片崩裂(crack)、载板线路断裂等问题，并严重的影响芯片的可靠性与封装加工的质量及良品率(yield)。

故，有必要提供一种封装构造，以解决现有技术所存在的问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供一种封装构造，以解决现有技术所存在的堆叠封装下封装体翘曲问题。

本实用新型的主要目的在于提供一种堆叠封装的下封装体构造，其可以平衡堆叠封装下封装体的载板与封胶体两者材料之间的热膨胀系数，减小载板翘曲的机率，以增加封装体的可靠度与稳定性，并提高封装加工的质量及良品率。

为达成本实用新型的前述目的，本实用新型一实施例提供一种堆叠封装的下封装体构造，其中所堆叠封装下封装体构造包含：一载板、至少一芯片、数个焊垫以及一强化金属环。所述载板包含一上表面。所述至少一芯片位于所述载板的上表面并电性连接至所述载板。所述数个焊垫位于所述载板的上表面。所述强化金属环位于所述载板的上表面，并设置于所述芯片及所述焊垫之间。

再者，本实用新型一实施例提供另一种堆叠封装构造，其中所述堆叠封装构造包含：一下封装体以及一上封装体。所述下封装体包含：一载板、至少一芯片、数个焊垫以及一强化金属环。所述载板包含一上表面。所述至少一芯片位于所述载板的上表面并电性连接至所述载板。所述数个焊垫位于所述载板的上表面。所述强化金属环位于所述载板的上表面，并设置于所述芯片及所述焊垫之间。所述上封装体通过所述焊垫电性连接至所述下封装体的载板。

与现有技术相比较，本实用新型的封装构造，这样可以平衡堆叠封装下封装体的载板与封装胶两者材料之间的热膨胀系数，从而减小堆叠封装下封装体的载板翘曲机率，增加封装体的可靠度与稳定性，并提高封装加工的质量及良品率。

附图说明

图1是本实用新型一实施例堆叠封装的下封装体构造的示意图。

图1A是本实用新型一实施例堆叠封装的下封装体构造的局部放大示意图。

图2是本实用新型一实施例堆叠封装构造组装前的示意图。

图3是本实用新型一实施例堆叠封装构造的示意图。

图4是本实用新型另一实施例堆叠封装的下封装体构造的局部放大示意图。

图5是本实用新型又一实施例堆叠封装的下封装体构造的局部放大示意图。

具体实施方式

为让本实用新型上述目的、特征及优点更明显易懂，下文特举本实用新型较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。再者，本实用新型所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本实用新型，而非用以限制本实用新型。

图1为本实用新型一实施例的堆叠封装的下封装体构造的示意图，图1A为图1的局部放大图。请参照图1及图1A所示，本实用新型一实施例的下封装体构造100主要包含载板110、芯片120、凸块(bumps)130、底胶140、第一金属球150、封胶体160、强化金属环170以及锡球180。