[实用新型]真空吸嘴有效
| 申请号： | 201220226595.9 | 申请日： | 2012-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN202616218U | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 林盟彧 | 申请（专利权）人： | 宏皓企业有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人： | 王晔;苏育红 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 真空 | ||
【权利要求书】：
1.一种真空吸嘴，其特征在于，包含有：
一基板，其设有一呈轴向贯穿状的吸气孔；以及
一弹性体，其固设于该基板的底面并设有一第一层及一第二层，该第一层固设于该基板的底面并设有一呈贯穿状的第一气孔，该第一气孔与该吸气孔对齐并相通；该第二层固定结合于该第一层的底面并设有一呈贯穿状的第二气孔；该第二气孔与该第一气孔对齐并相通，其中，该第二气孔的宽度大于该第一气孔的宽度。
2.根据权利要求1所述的真空吸嘴，其特征在于，该第一层的外径大于该第二层的外径，并在该第一层的底面异于该第二层之处形成有一环面。
3.根据权利要求2所述的真空吸嘴，其特征在于，在该第一层的环形的底面以及在该第二层的环形的底面分别披覆形成有一环形的奈米钛层。
4.根据权利要求1或2或3所述的真空吸嘴，其特征在于，该第一气孔的宽度大于该吸气孔的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
