[实用新型]真空吸嘴

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种配合吸气装置吸取物品的构件，特别涉及一种真空吸嘴。

背景技术

目前现有技术的真空吸嘴，如图7所示，设有基板70及弹性体80，基板70设有呈轴向贯穿状的吸气孔71；弹性体80固设于基板70并设有呈轴向贯穿状的通气孔81。

欲吸起晶片时，将吸气装置设于基板70的顶面，并将弹性体80抵在晶片的顶面，利用吸气装置将吸气孔71及通气孔81内的空气吸出而产生吸力，使得晶片能够被吸起进而运送。其中，晶片被吸力吸引而朝基板70的方向位移，使得弹性体80被挤压变形并贴覆于晶片。

然而，弹性体80的变形量不足，无法紧密地贴覆于晶片，导致外界的空气会从晶片与弹性体80之间的微小缝隙进入通气孔81，吸力不足且吸气效率不佳，晶片容易掉落，造成整个生产线停罢。

另外，通气孔81的直径小，吸起气流接触于晶片的面积不大，不利于吸起晶片，也容易造成晶片掉落。因此，现有技术的真空吸嘴实有改进的必要。

实用新型内容

为解决现有技术的真空吸嘴有关于弹性体无法紧密地贴覆于晶片，导致晶片容易掉落的不足与限制，本实用新型的目的在于提供一种真空吸嘴，其弹性体增设第二层，该第二层产生的变形量能够进一步地贴覆晶片，阻隔外界空气进入，并使该第二气孔的宽度大于第一气孔的宽度，增加吸起气流接触于晶片的面积，利于吸起晶片，十分实用。

本实用新型所运用的技术手段在于提供一种真空吸嘴，包括有：

一基板，其设有一呈轴向贯穿状的吸气孔；以及

一弹性体，其固设于该基板的底面并设有一第一层及一第二层，该第一层固设于该基板的底面并设有一呈贯穿状的第一气孔，该第一气孔与该吸气孔对齐并相通；该第二层固定结合于该第一层的底面并设有一呈贯穿状的第二气孔；该第二气孔与该第一气孔对齐并相通，其中，该第二气孔的宽度大于该第一气孔的宽度。

所述的真空吸嘴，其中，该第一层的外径大于该第二层的外径，并在该第一层的底面异于该第二层之处形成有一环面。

所述的真空吸嘴，在该第一层的环形的底面以及在该第二层的环形的底面分别披覆形成一环形的奈米钛层。

所述的真空吸嘴，其中，该第一气孔的宽度大于该吸气孔的宽度。

本实用新型所提供的真空吸嘴，可以获得的具体效益及功效改进至少包括：

1.第二层的变形量提高贴覆效果：由于本实用新型增设第二层，相较于现有技术而言，该第二层产生的变形量能够进一步贴覆晶片；更进一步地，使第二层的径向厚度薄于第一层的径向厚度，较薄的第二层更能被挤压变形而贴覆于晶片。

2.吸起气流接触于晶片的面积增加：因为该第二气孔的宽度大于第一气孔的宽度，所以本实用新型的吸起气流接触于晶片的面积增加，因此能够利于吸起晶片。

3.避免吸入外界空气而提高吸气效率：因为该第一层的外径大于第二层的外径，在第一层贴覆于晶片时，第一层能够包围已被挤压的第二层，使得第二气孔及第一气孔内空气能够充份地被吸走，并使外界的空气不易穿过被挤压的第一层及第二层而进入第二气孔及第一气孔，因此能够提高吸气效率。

4.奈米钛层阻隔外界空气：本实用新型的第二实施例利用奈米钛层进一步阻隔外界空气进入该第一气孔及第二气孔，进一步地提高吸气效率。

附图说明

图1是本实用新型第一优选实施例的立体外观图。

图2是本实用新型第一优选实施例的剖面图。

图3是本实用新型第一优选实施例的仰视图。

图4是本实用新型第一优选实施例第二层的挤压变形示意图。

图5是本实用新型第一优选实施例第一层与第二层的挤压变形示意图。

图6是本实用新型第二优选实施例的剖面图。

图7是现有技术真空吸嘴的剖面图。

附图标号说明：

10基板                            11吸气孔

20弹性体                          21第一层

211第一气孔                       212环面

22第二层                          221第二气孔

21A第一层                         22A第二层

30A奈米钛层                       C晶片

70基板                            71吸气孔