[实用新型]掩模板

说明书

技术领域

本实用新型涉及光刻技术领域，特别是指一种掩模板。

背景技术

光刻工艺是以光刻胶为材料，在玻璃基板表面形成具有TFT（Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管）结构的图形。这个图形的作用是保护在它下面的薄膜，使其在下一道刻蚀工序中不被刻蚀掉，从而最终在薄膜上形成需要的图形。

在目前的TFT光刻工艺中，同一条产线的掩模板的尺寸是固定的，为了通过现有的掩模板制造更大尺寸的显示面板，通常采用掩模板拼接的方式进行曝光。传统曝光方式流程如下：

首先，如图1所示，当掩模板1曝光区域I时，挡板2挡住区域II和区域III，在PR胶上形成图形4；

然后，如图2所示，当掩膜板1曝光区域II时，挡板2挡住区域I和区域III，同时玻璃基台3向一侧移动距离d，形成图形5；

这样，图形4与图形5拼接成大尺寸图形。

可以看出，在拼接的过程中需要多次移动玻璃基台（STAGE）和挡板（BLADE），来配合掩模板拼接图形，造成生产工艺比较复杂。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种掩模板，能够增加曝光后形成的图案的面积，从而减少在光刻工艺中玻璃基台和挡板的移动次数。

为解决上述技术问题，本实用新型的实施例提供技术方案如下：

一种掩模板，包括：掩模板曝光区域和与所述掩模板曝光区域相邻设置的掩模板非曝光区域；

还包括：与所述掩模板曝光区域对应设置的使照射到所述掩模板曝光区域的光发散的光路补偿结构。

所述光路补偿结构为所述掩模板曝光区域的凹状的出光面。

所述光路补偿结构为设置在所述掩模板曝光区域上的凹透镜。

本实用新型的实施例具有以下有益效果：

上述方案中，掩模板，包括：掩模板曝光区域和与所述掩模板曝光区域相邻设置的掩模板非曝光区域；还包括：与所述掩模板曝光区域对应设置的使照射到所述掩模板曝光区域的光发散的光路补偿结构。通过在掩模板曝光区域对应设置光路补偿结构，增加了照射到掩模板曝光区域的光的发散面积，使得在曝光工艺中形成的图案变大，从而减少了玻璃基台和挡板的移动次数。

附图说明

图1为现有技术中采用掩模板拼接的方式进行曝光时执行第一步骤的示意图；

图2表为现有技术中采用掩模板拼接的方式进行曝光时执行第二步骤的示意图；

图3为本实用新型的掩模板的第一实施例的结构示意图；

图4为采用图3所示的掩模板进行曝光执行第一步骤的示意图；

图5为采用图3所示的掩模板进行曝光执行第二步骤的示意图；

图6为本实用新型的掩模板的第二实施例的结构示意图；

图7为采用图6所示的掩模板进行曝光执行第一步骤的示意图；

图8为采用图6所示的掩模板进行曝光执行第二步骤的示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

本实用新型提供一种掩模板，包括：掩模板曝光区域、与所述掩模板曝光区域相邻设置的掩模板非曝光区域以及与所述掩模板曝光区域对应设置的使照射到所述掩模板曝光区域的光发散的光路补偿结构。

图3为本实用新型的掩模板30的第一实施例，包括：掩模板曝光区域21和相邻的掩模板非曝光区域22。其中，部分掩模板曝光区域21（如图3中的区域I和区域III）的出光面可以设置为凹状，部分掩模板曝光区域21的出光面（如图3中的区域II）可以设置为与现有技术中相同的平面状。当然，本领域技术人员可以理解，掩模板曝光区域21的出光面也可以全部为凹状，视后续过程中需要曝光处理形成的图案决定。本实用新型实施例中的出光面设置为凹状，是指在出光面本身上制作形成凹状的结构，即该凹状的结构与出光面为一体结构。

上述实施例中，可以依据凹透镜的成像公式1/f=1/u+1/v来确定凹状的出光面的焦距；其中，f为凹透镜（凹状的出光面）的焦距；u为物距，即：掩模板曝光区域与凹透镜（凹状的出光面）之间的距离；v为像距，即：凹透镜（凹状的出光面）与玻璃基台之间的距离。当u、v确定以后即可确定焦距f。而放大倍数K＝f/(f-u)，也就是说，曝光后形成的图案的大小是掩模板曝光区域的大小的K倍。

以下结合图4和图5描述采用图3所示的掩模板的曝光处理的流程，包括：