[实用新型]双沟型GPP钝化保护二极管芯片

说明书

技术领域

    本实用新型涉及对双沟型GPP钝化保护二极管芯片结构的改进。

背景技术

现有GPP（玻璃钝化器件Glassivation passivation parts）台面二极管芯片，如图4所示，普遍采用从沟槽槽底切割划片的分裂方案。主要存在以下两方面的问题：一是切割刀片在沟槽20内切割时易造成硅的隐裂，这种隐裂在材料中逐渐扩展；二是由于切割点32距离PN结很近，因此容易造成PN结的损伤，从而容易导致芯片钝化层隐裂而导致器件寿命降低或最终失效。

实用新型内容

本实用新型针对以上问题，提供了一种能避免产生隐裂和PN结损伤，且节约材料的双沟型GPP钝化保护二极管芯片。

本实用新型的技术方案是：所述芯片的顶面开设有一圈凹槽，所述凹槽内设置有GPP钝化保护层；在所述凹槽外缘的外侧还设有一圈切割保护区。

所述切割保护区的宽度为所述凹槽宽度的5-35%。

本实用新型从晶片正面的保护凹槽外部的保护区下刀切割，避免了现有技术中在切割沟槽底部的过程中对芯片PN结造成的应力损伤，使得本实用新型产品正面的沟槽底部完全被玻璃填满，能够对PN结起到更好的钝化保护作用，使得芯片品质有很好地保证。此外，对切割保护区的尺寸，在满足机械切割工具可靠工作的同时，避免了材料的浪费。

附图说明

图1是本实用新型芯片的结构示意图，

图2是图1的俯视图，

图3是本实用新型晶片的结构示意图，

图4是本实用新型现有技术的结构示意图；

图中1是芯片，2是凹槽，21是GPP钝化保护层，22是台面，3是切割保护区，31是切割线，20是沟槽，32是切割点。

具体实施方式

本实用新型如图1、2所示，所述芯片1的顶面开设有一圈凹槽2，凹槽2内部的芯片顶面为台面22，所述凹槽2内设置有GPP钝化保护层21；在所述凹槽2外缘的外侧还设有一圈切割保护区3。

所述切割保护区3的宽度为所述凹槽2宽度的5-35%。

加工本实用新型时，如图3所示，在晶片上逐个加工出凹槽2，相邻凹槽2之间的间隙（即相邻凹槽2外缘之间的距离）为切割保护区宽度的两倍，该间隙的中心极为下刀分裂晶片的切割线31。逐个分裂以后，制得本实用新型的芯片1。

本实用新型的芯片1的沟槽（凹槽2）完全由玻璃（即GPP钝化保护层）填充，切割时从沟槽边缘的切割线（硅片上）切割，使得本产品中玻璃对PN结保护的更好，不需从沟槽20底部切割，对PN结损伤更小。