[实用新型]一种阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201220278644.3 | 申请日： | 2012-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN202677033U | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 徐超;张春芳;魏燕;金熙哲 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 黄灿;安利霞 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板，包括：基板，所述基板上设有栅线和数据线，所述栅线和所述数据线之间限定有像素区域，所述像素区域内设有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接；在所述栅线和所述数据线上方设有第一导电金属层；其特征在于，
在所述第一导电金属层的第一位置处设有与所述第一导电金属层相接触的新金属层，所述新金属层与所述第一导电金属层共同作为所述阵列基板的公共电极；其中，所述第一位置处是所述栅线和/或所述数据线对应的位置处。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一位置处是所述栅线和/或所述数据线的正上方对应的位置处。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述新金属层的金属线的宽度小于或者等于所述栅线或者所述数据线的宽度。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述新金属层的电阻系数小于第一导电金属层的电阻系数。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述数据线所在层与设有所述新金属层的所述第一导电金属层之间，设有树脂层。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述薄膜晶体管的漏极对应的介电-钝化层过孔处，形成有钝化层过孔。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，在设有所述新金属层的所述第一导电金属层之上，还设有第二导电金属层；
所述第二导电金属层作为所述阵列基板的像素电极，通过所述钝化层过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电金属层和所述第二导电金属层均为一透明导电薄膜。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电薄膜为氧化铟锡ITO。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的阵列基板。
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