[实用新型]一种阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示技术领域，特别是指一种阵列基板及显示装置。

背景技术

ADSDS（简称ADS）技术，即高级超维场转换技术（ADvanced Super Dimension Switch），其核心技术特性为：通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点。

如图1所示，为传统的ADS型的阵列基板的俯视图，传统的ADS型阵列基板包括：基板10，所述基板10上设有栅线11，垂直于所述栅线11设有数据线12，所述栅线11和所述数据线12之间限定有像素区域，所述像素区域内设有薄膜晶体管（TFT）和像素电极，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接，源极与所述数据线连接，漏极与所述像素电极连接；在所述栅线11和所述数据线12所在层之上还设有第一导电金属层（1^stITO）（氧化铟锡，Indium Tin Oxide，简称ITO）13，且在所述薄膜晶体管的漏极对应的介电-钝化层过孔处，形成有钝化层过孔14。在该种结构的阵列基板中，公共（Common）电极是由第一导电金属层（1^stITO）13构成，经常由于Common电极与数据线的耦合电容影响而使显示面板出现绿屏（greenish）、crosstalk（串扰）以及Coupling Noise（耦合噪声）等问题。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种阵列基板及显示装置，可以降低显示面板的耦合噪声，减少绿屏以及串扰现象发生，进而提高液晶显示面板的稳定性。

为解决上述技术问题，本实用新型的实施例提供一种阵列基板，包括：基板，所述基板上设有栅线和数据线，所述栅线和所述数据线之间限定有像素区域，所述像素区域内设有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接；在所述栅线和所述数据线上方设有第一导电金属层；在所述第一导电金属层的第一位置处设有与所述第一导电金属层相接触的新金属层，所述新金属层与所述第一导电金属层共同作为所述阵列基板的公共电极；其中，所述第一位置处是所述栅线和/或所述数据线对应的位置处。

其中，所述第一位置处是所述栅线和/或所述数据线的正上方对应的位置处。

其中，所述新金属层的金属线的宽度小于或者等于所述栅线或者所述数据线的宽度。

其中，所述新金属层的电阻系数小于第一导电金属层的电阻系数。

其中，在所述数据线所在层与设有所述新金属层的所述第一导电金属层之间，设有树脂层。

其中，在所述薄膜晶体管的漏极对应的介电-钝化层过孔处，形成有钝化层过孔。

其中，在设有所述新金属层的所述第一导电金属层之上，还设有第二导电金属层；所述第二导电金属层作为所述阵列基板的像素电极，通过所述钝化层过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接。

其中，所述第一导电金属层和所述第二导电金属层均为一透明导电薄膜。

其中，所述透明导电薄膜为氧化铟锡ITO。

本实用新型的实施例还提供一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。

本实用新型的上述技术方案的有益效果如下：

上述方案中，通过在第一导电金属层（一般为1^stITO）上的特定位置（栅线和/或数据线对应的位置处）沉积上一层导电的新金属层，和该第一导电金属层直接接触，该新金属层和该第一导电金属层共同作为该阵列基板的公共（Common）电极，使耦合噪声也得到有效降低，减小了绿屏和串扰现象的发生。

附图说明

图1为现有技术中阵列基板的结构俯视图；

图2为本实用新型的阵列基板，在基板上设置栅线后的俯视图；

图3为在图2所示结构的基础上，设置数据线后的俯视图；

图4为在图3所示结构的基础上，设置第一导电金属层及树脂层的俯视图；

图5为在图4所示结构的第一导电金属层上对应于栅线和数据线上方的位置处，设置新金属层的俯视图；

图6为图5所示结构中，在薄膜晶体管的漏极对应的介电-钝化层过孔处，形成有钝化层过孔的俯视图；

图7为图6所示结构的基础上，设置第二导电金属层的俯视图；