[实用新型]横向高压晶体管

权利要求书

1.一种横向高压晶体管，包括：

半导体层，具有第一导电类型；

源区，具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，该源区位于所述半导体层中；

漏区，具有所述第二导电类型，该漏区位于所述半导体层中并与所述源区相分离；

第一隔离层，形成在位于所述源区和漏区之间的所述半导体层上；

第一阱区，具有所述的第二导电类型，该第一阱区环绕所述漏区形成，向所述源区延伸，但与所述源区相分离；

栅区，形成在位于所述第二阱区和与该第二阱区邻近的部分第一阱区之上的所述第一隔离层上；以及

螺旋阻性场板，形成在位于所述漏区和所述栅区之间的所述第一隔离层上，其中所述螺旋阻性场板包括第一端和第二端，所述第一端耦接所述源区，所述第二端耦接所述漏区；以及

掩埋层，形成于所述第一阱区中，掩埋在位于所述螺旋阻性场板下方的所述第一阱区中，具有所述的第一导电类型。

2.如权利要求1所述的横向高压晶体管，其特征在于，所述第一阱区包括位于所述螺旋阻性场板和所述掩埋层之间的第一部分，以及位于所述掩埋层和所述半导体层之间的第二部分。

3.如权利要求2所述的横向高压晶体管，其特征在于，所述螺旋阻性场板和所述掩埋层用于耗尽所述第一阱区的第一部分，所述掩埋层和所述半导体层用于耗尽所述第一阱区的第二部分。

4.如权利要求1所述的横向高压晶体管，其特征在于，所述第一阱区可以包括多个具有所述第二导电类型的掺杂区，其中每个掺杂区的掺杂浓度与其余掺杂区的掺杂浓度不同。

5.如权利要求1所述的横向高压晶体管，其特征在于，所述第一阱区包括多个具有所述第二导电类型的掺杂区，其中所述多个具有第二导电类型的掺杂区在离漏区最近到离漏区最远的方向上具有逐 步降低的掺杂浓度。

6.如权利要求1所述的横向高压晶体管，特征在于进一步包括：

第二阱区，具有所述第一导电类型，并且形成于所述源区的外围。

7.如权利要求1所述的横向高压晶体管，其特征在于进一步包括：

体接触区，形成于所述源区附近，具有所述第一导电类型，并且与所述源电极耦接。

8.如权利要求7所述的横向高压晶体管，其特征在于，所述螺旋阻性场板的第一端与所述体接触区耦接，而不再与所述源区耦接。

9.如权利要求1所述的横向高压晶体管，其特征在于，所述螺旋阻性场板的第一端与所述栅区耦接，而不再与所述源区耦接。

10.如权利要求1所述的横向高压晶体管，其特征在于，进一步包括：

第一介电层，覆盖所述第一隔离层、所述栅区和所述螺旋阻性场板；

源电极，耦接所述源区；

漏电极，耦接所述漏区；以及

栅电极，耦接所述栅区。

11.如权利要求1所述的横向高压晶体管，其特征在于，进一步包括：

厚介电层，覆盖所述第一阱区的一部分，将所述漏区横向地与所述栅区及所述源区隔离；其中，

所述栅区的一部分延伸至所述厚介电层之上；并且

所述阻性螺旋场板形成于所述厚介电层之上，而不再是形成于所述第一隔离层上。