[实用新型]横向高压晶体管

说明书

技术领域

本实用新型的实施例涉及半导体器件，尤其涉及横向高压晶体管。

背景技术

通常，诸如应用于各种工业电子设备及消费电子设备中的集成高压电源管理电路中，在其输出端会包括高压晶体管。应用于这些高压电源管理电路中的高压晶体管通常响应于控制信号而导通或关断，从而将供电电压转换为适合驱动例如工业电子设备及消费电子设备的输出电压。大多数高压电源管理电路接收的供电电压可能比较高，例如高到1000V，因此，应用于这些高压电源管理电路中的高压晶体管应该能够承受如此高的供电电压。也就是说，为了保证电源管理电路的工作稳定性，应用于该电源管理电路中的高压晶体管应该具有较高的击穿电压（breakdown voltage）。同时，在实际应用中还希望应用于电源管理电路中的高压晶体管具有较低的导通电阻（on-resistance），以改善该高压晶体管的电流处理能力并提高所述电源管理电路的功率转换效率。

通常，可以通过增大高压晶体管中位于漏区与源区之间的漂移区的掺杂浓度来降低高压晶体管的导通电阻。然而，漂移区掺杂浓度的增大使其更难于被耗尽，从而会导致高压晶体管的击穿电压降低。因此，希望提供一种高压晶体管器件，其可以不必牺牲击穿电压便具有较低的导通电阻。

实用新型内容

针对现有技术中的一个或多个问题，本实用新型的实施例提供一种高压晶体管及其制造方法。

在本实用新型的一个方面，提出了一种高压晶体管，包括：半导体层，具有第一导电类型；源区，具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，该源区位于所述半导体层中；漏区，具有所述第二导电类型，该漏区位于所述半导体层中并与所述源区相分离；第一隔离层，形成在位于所述源区和漏区之间的所述半导体层上；第一阱区，具有所述的第二导电类型，该第一阱区环绕所述漏区形成，向所述源区延伸，但与所述源区相分离；栅区，形成在位于所述第二阱区和与该第二阱区邻近的部分第一阱区之上的所述第一隔离层上；以及螺旋阻性场板，形成在位于所述漏区和所述栅区之间的所述第一隔离层上，其中所述螺旋阻性场板包括第一端和第二端，所述第一端耦接所述源区，所述第二端耦接所述漏区；以及掩埋层，形成于所述第一阱区中，掩埋在位于所述螺旋阻性场板下方的所述第一阱区中，具有所述的第一导电类型。

根据本实用新型的实施例，所述第一阱区包括位于所述螺旋阻性场板下方和所述掩埋层上方的第一部分，以及位于所述掩埋层下方和所述半导体层上方的第二部分。

根据本实用新型的实施例，所述螺旋阻性场板和所述掩埋层用于耗尽所述第一阱区的第一部分，所述掩埋层和所述半导体层用于耗尽所述第一阱区的第二部分。

根据本实用新型的实施例，所述第一阱区可以包括多个具有所述第二导电类型的掺杂区，其中每个掺杂区的掺杂浓度与其余掺杂区的掺杂浓度不同。

根据本实用新型的一个实施例，所述多个具有第二导电类型的掺杂区在离漏区最近到离漏区最远的方向上具有逐步降低的掺杂浓度。

根据本实用新型实施例的高压晶体管可以进一步包括：第二阱区，具有所述第一导电类型，并且形成于所述源区的外围。

根据本实用新型实施例的高压晶体管可以进一步包括：体接触区，形成于所述源区附近，具有所述第一导电类型，并且与所述源电极耦接。

根据本实用新型的一个实施例，所述螺旋阻性场板的第一端与所述体接触区耦接，而不再与所述源区耦接。

根据本实用新型的一个实施例，所述螺旋阻性场板的第一端与所述栅区耦接，而不再与所述源区耦接。

根据本实用新型的实施例的高压晶体管可以进一步包括：第一介电层，覆盖所述第一隔离层、所述栅区和所述螺旋阻性场板；源电极，耦接所述源区；漏电极，耦接所述漏区；以及栅电极，耦接所述栅区。

根据本实用新型的实施例的高压晶体管可以进一步包括：厚介电层，覆盖所述第一阱区的一部分，将所述漏区横向地与所述栅区及所述源区隔离；其中，所述栅区的一部分延伸至所述厚介电层之上；并且所述阻性螺旋场板形成于所述厚介电层之上，而不再是形成于所述第一隔离层上。