[实用新型]一种用于异质结太阳能电池等离子化学气相沉积系统有效
申请号: | 201220296755.7 | 申请日: | 2012-06-25 |
公开(公告)号: | CN202643839U | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 周文彬;刘幼海;刘吉人 | 申请(专利权)人: | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/50;H01L31/18 |
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地址: | 201707 上海市青*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 异质结 太阳能电池 等离子 化学 沉积 系统 | ||
所属技术领域
本实用新型涉及一种用于异质结太阳能电池等离子化学气相沉积系统,此类设备可广泛应用于任何需要于真空下进行加工的制程且加工需要一定时间的制程,例如太阳能硅片镀膜加工。
背景技术
传统的真空镀膜设备,由于制程的原因,皆采用直线式真空镀膜设备,在操作时皆由最前方的承载室一直进行到最后的卸除室,对量产而言,此种系统安排速度快,设备投入成本低,但相对而言此种系统长度最长,若配上回传机构则横幅占地面积又更加大,所以对生产者此种安排并不经济,且若遇某一腔室故障时,需要整线停产进行维护保养。对于异质结太阳能电池间歇式镀膜的方式,直线式系统配置会增大占地面积,若搭配回传系统则占地面积更大,因此有必要发展从集式镀膜系统来达到降低成本减少占地面积的投入。
发明内容
本实用新型主要目的系提供一种用于异质结太阳能电池等离子化学气相沉积系统,来改善现有直线式真空镀膜设备占地面积大、制造成本高的问题。
为了达成上述实用新型目的,本实用新型的技术方案是提供一种用于异质结太阳能电池等离子化学气相沉积系统分别跨越两种不同洁净区域的第一区域及第二区域,其中第一区域的环境洁净度高于第二区域;该异质结太阳能电池等离子化学气相沉积系统依序包含加载区、自动交换区、第一承载室、第一卸载室、第二承载室、第二卸载室及多个镀膜反应室和卸载区,其中特点是:
所述之等离子化学气相沉积系统呈一半的H型设置,其中加载台、自动交换区及卸载台设置在洁净度要求较高的第一区域;
所述之等离子化学气相沉积系统第一承载室、多个镀膜反应室及第一卸载室设置在洁净度要求较低的第二区域,构成半H型的左翼部分;
所述之等离子化学气相沉积系统第二承载室、多个镀膜反应室及第二卸载室设置在洁净度要求较低的第二区域,构成半H型的右翼部分;
所述之等离子化学气相沉积系统的维修区域设置在半H型的左翼及右翼中;
在上述异质结太阳能电池等离子化学气相沉积系统整体设制成半H型,加载台、自动交换区及卸载台设置在洁净度要求较高的第一区域,无需再另行设置洁净度高的回传机构将沉积的异质结太阳能电池回传,透过本身腔室的内部传动将异质结太阳能电池回传至第一区域既可交换及卸载的动作,有效降低生产成本,同时可以保证异质结太阳能电池不受环境污染,同时整体承半H型设置有效降低所述异质结太阳能电池系统占地面积,同时利用半H型左翼及右翼中的区域设置维修区域,能在进一步降低占地面积,无需另外再设置维修区域,做到更有效节省生产占地面积达到从集式的要求。
附图说明
图1系为本实用新型示意图。
主要组件符号说明。
101...第一区域。
102...第二区域。
103...加载区。
104...自动交换区。
105...卸载区。
106...第一承载室。
107...第一反应室。
108...第二反应室。
109...第二承载室。
110...第三反应室。
111...第四反应室。
112...维修区。
113...隔离阀门。
具体实施方式
为使方便简捷了解本发明之其他特征内容与优点及其所达成之功效能够更为显现,兹将本实用新型配合附图,详细說明如下:请參阅图1,本实用新型之主要目的系一种用于异质结太阳能电池等离子化学气相沉积系统,该等离子化学气相沉积系统呈半H型设置,包括依序连接的加载区103、自动交换区104和卸载区105构成的第一部分为半H型设置的横向结构;其中所述之第一承载室106、第一反应室107、第二反应室108构成第二部分为半H型设置的左翼部分;其中所述之第二承载室109、第三反应室110、第四反应室111构成第三部分为半H型设置的右翼部分。
同时,所述之等离子化学气相沉积系统分别跨越两种不同洁净区域的第一区域101及第二区域102,其中第一区域的环境洁净度高于第二区域,因此加载区103、自动交换区104和卸载区105设置在洁净度要求高的第一区域101内,而半H型设置的左翼及右翼部分设置在洁净区要求较低的第二区域102内,其中左翼部分透过隔离阀门113与第一区域101连接;右翼部分透过隔离阀门113与第一区域101连接;所述之第二区域102内设置维修区域112,该维修区域112设置于半H型左翼及右翼内。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的