[实用新型]晶体硅太阳电池正面栅线电极有效
申请号: | 201220323537.8 | 申请日: | 2012-07-05 |
公开(公告)号: | CN202633327U | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 刘伟;陈筑;刘晓巍;蔡二辉;徐晓群;孙励斌 | 申请(专利权)人: | 宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙) 33228 | 代理人: | 代忠炯 |
地址: | 315177 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体 太阳电池 正面 电极 | ||
1.一种晶体硅太阳电池正面栅线电极,包括设置在太阳电池正面的主栅线(1)和细栅线,其特征在于:所述的主栅线(1)至少为两根,每根主栅线等距平行排列;所述的细栅线包括与主栅线垂直且彼此平行排列的多根第一细栅线(2),与主栅线(1)平行排列的第二细栅线(3),以及连接于太阳电池正面周边的第三细栅线(4)。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池正面栅线电极,其特征在于:所述的主栅线(1)为3根,所述的3根主栅线彼此等间距排列,间隔距离为52mm。
3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池正面栅线电极,其特征在于:所述的与主栅线平行排列的第二细栅线(3)为2根,且2根第二细栅线(3)分别设置于相邻两根主栅线(1)的中间位置。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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