[实用新型]筒形舟

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体扩散辅助设备技术领域。具体涉及一种用于在高温扩散时存放半导体圆片、杂质源的筒形舟，可提高硅片闭管扩散区域均匀性和浓度。 

背景技术

在半导体圆片如硅片进行预沉积和再扩散时，需要把杂质源与硅片存放在相对封闭的区域内进行扩散。传统的方法是使用石英封管，两端封闭，然后抽真空，来形成相对封闭区域，将硅片和杂质源放入石英封管进行预沉积或再扩散。此种方法的不足之处一是石英料是一次性使用，浪费极大；二是使用石英封管时，高温后管易变形，杂质源与石英料互相影响，容易析晶，并污染扩散片。 

发明内容

本实用新型的目的就是针对上述不足之处而提供一种可使扩散区域相对封闭，高温不易变形，可反复使用的筒形舟。 

本实用新型的技术解决方案是：一种筒形舟，其特征是：包括一个上半圆舟、一个下半圆舟和两个圆形侧挡板；上半圆舟和下半圆舟的两侧内壁上设有配合的挡片插放凹槽，两个侧挡板分别位于该两侧的挡片插放凹槽内；上半圆舟和下半圆舟的接触端面设有配合的台阶。上半圆舟、下半圆舟和两侧的侧挡板可配套成一个封闭筒形区域。 

本实用新型技术解决方案中所述的上半圆舟或/和下半圆舟内两侧的挡片插放凹槽之间的内壁上设有用于插放半导体圆片的刻槽。 

本实用新型技术解决方案中所述的上半圆舟或/和下半圆舟的端部设有推拉孔，便于推拉。 

本实用新型技术解决方案中所述的上半圆舟、下半圆舟、侧档板为SIC、多晶硅或单晶硅棒料加工而成的上半圆舟、下半圆舟、侧档板。 

本实用新型技术解决方案中所述的上半圆舟、下半圆舟内壁直径为Φ36∽170mm，长度为300∽850mm，壁厚为5∽15mm。 

本实用新型技术解决方案中所述的刻槽深度为2.0∽3.0mm，刻槽间距为1.0∽3.0mm，刻槽宽度为0.5∽2.0mm。 

本实用新型由于采用由一个上半圆舟、一个下半圆舟和两个圆形侧挡板构成的筒形舟，其中，上半圆舟和下半圆舟的两侧内壁上设有配合的挡片插放凹槽，两个侧挡板分别位于该两侧的挡片插放凹槽内，上半圆舟和下半圆舟的接触端面设有配合的台阶，因而上半圆舟、下半圆舟和两侧的侧挡板可配套成一个封闭筒形区域，可将半导体圆片放入筒形舟内，使半导体圆片和源封闭于密闭的筒形舟内，这样可提高杂质源蒸汽压，提高扩散参数的均匀性，并能避免半导体圆片受外部气氛影响。本实用新型具有可使扩散区域相对封闭，避免硅片受外部污染，高温不易变形，高温不易变形，可反复使用的特点。本实用新型主要用于在高温扩散时存放半导体圆片、杂质源的筒形舟。 

附图说明

图1是本实用新型实施例1的结构示意图。 

图2是图1的左视图。 

图3是图1中上半圆舟的俯视图。 

图4是图1中下半圆舟的俯视图。 

图5是图1中侧挡板的结构示意图。 

图6是本实用新型实施例2的结构示意图。 

图7是图6的左视图。 

图8是图6中上半圆舟的结构示意图。 

图9是图6中下半圆舟的结构示意图。 

图10是图8或图9中刻槽的局部放大图。。 

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型实施例作进一步说明。 

实施例1如图1至图5所示。本实用新型实施例1由上半圆舟1、下半圆舟3和两个圆形侧挡板2构成。上半圆舟1、下半圆舟3和侧档板2由SIC、多晶硅或单晶硅棒料加工而成。上半圆舟1和下半圆舟3的两侧内壁上设有配合的挡片插放凹槽5，两个侧挡板2分别位于该两侧的挡片插放凹槽5内。上半圆舟1和下半圆舟3的接触端面为相互配合的台阶，既起密封作用，又可防止上半圆舟1和下半圆舟3的径向滑动，并可上下翻转使用。上半圆舟1和下半圆舟3的端部设有推拉孔4，便于筒形舟的推拉操作。上半圆舟1、下半圆舟3的内壁直径为Φ36∽170mm，长度为300∽850mm，壁厚为5∽15mm。上半圆舟1、下半圆舟3和两侧的侧挡板2可配套成一个相对封闭的筒形区域，四周无缝隙，可将硅片竖叠放于筒形舟内，使硅片和源封闭于密闭的筒形舟内，达到提高杂质源蒸汽压的目的，提高了扩散参数均匀性，又能避免硅片受外部气氛影响。筒形舟内还可配备硅片插槽座，用于硅片在筒形舟内插装放置。