[实用新型]氮化硅膜制备装置

权利要求书

1.氮化硅膜制备装置，包括真空沉积室（1），真空沉积室（1）内设置有多个等离子反应器（2），真空沉积室（1）上设置有进气口（3）与抽气口（4），其特征在于：所述进气口（3）上连接有气体混合装置，所述气体混合装置上设置有进口（65）与出口（66），所述进口（65）上连接有多个用于通入制程气体的进气管（5），所述出口（66）与真空沉积室（1）的进气口（3）连通。

2.如权利要求1所述的氮化硅膜制备装置，其特征在于：所述气体混合装置为离心式混合机（6），所述离心式混合机（6）包括芯体（61）、壳体（62），芯体（61）设置在壳体（62）内，芯体（61）表面开有螺旋槽（63），所述螺旋槽（63）的内壁与壳体（62）的内壁围成封闭的螺旋式气体通道（64），所述进口（65）设置在壳体（62）的一端并与螺旋式气体通道（64）连通，所述出口（66）设置在壳体（62）的另一端并与螺旋式气体通道（64）连通。

3.如权利要求1或2所述的氮化硅膜制备装置，其特征在于：所述真空沉积室（1）内设置有喷气管（7），喷气管（7）位于等离子反应器（2）上方，喷气管（7）一端封闭，另一端与真空沉积室（1）的进气口（3）连通，在喷气管（7）上与等离子反应器（2）相对应的位置开有喷气孔（8）。

4.如权利要求3所述的氮化硅膜制备装置，其特征在于：所述喷气管（7）通过活动结构连接在真空沉积室（1）的内壁上。

5.如权利要求4所述的氮化硅膜制备装置，其特征在于：所述活动结构包括固定在真空沉积室（1）内壁上的吊环（9），所述喷气管（7）悬挂在吊环（9）上。

6.如权利要求5所述的氮化硅膜制备装置，其特征在于：所述进气口（3）、抽气口（4）设置在真空沉积室（1）的前端，所述真空沉积室（1）内设置有两端敞开的排气管（10），排气管（10）位于等离子反应器（2）下方，排气管（10）一端与抽气口（4）连通，另一端延伸至真空沉积室（1）的尾端。