[实用新型]氮化硅膜制备装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及晶体硅太阳能生产设备领域，尤其是是一种氮化硅膜制备装置。

背景技术

由于太阳光照射到太阳能电池的硅片上，其中一部分太阳光会被反射，即使对将硅表面设计成绒面，虽然入射光会产生多次反射可以增加光的吸收率，但是，还是会有一部分的太阳光会被反射，为了减少太阳光的反射损失，通常所采取的办法是在太阳能电池的硅片表面覆盖一层减反射膜，这层薄膜可以减少太阳光的反射率，增加光电转换效率，在晶体硅表面淀积减反射膜技术中，氮化硅膜具有高绝缘性、化学稳定性好、致密性好、硬度高等特点，同时具有良好的掩蔽金属和水离子扩散的能力，从而被广泛采用。

在晶体硅太阳能电池制造过程中，制备氮化硅膜通常采用等离子体增强化学气相沉积法，简称为PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition），PECVD是利用强电场使所需的气体源分子电离产生等离子体，等离子体中含有很多活性很高的化学基团，这些基团经过经一系列化学和等离子体反应，在硅片表面形成固态薄膜。

目前，在晶体硅太阳能电池制造过程中，用于制备氮化硅膜的装置主要包括真空沉积室，真空沉积室内设置有多个等离子反应器，硅片安装在等离子反应器上，真空沉积室的前端设置有进气口，尾端设置有抽气口，所述进气口上连接有用于通入制程气体的进气管，所述制程气体是指在氮化硅膜制备过程中用于反应的气体，一般情况下，在氮化硅膜制备过程中所使用的制程气体只要有以下三种：氨气、氢化硅和氢气，其中氢气可用氩气替代，该氮化硅膜制备装置的工作过程如下：将各种制程气体分别通过不同的进气管通入真空沉积室内，不同的制程气体在真空沉积室内混合后并且在等离子反应器的作用下电离成离子，经过多次碰撞产生大量的活性基，逐步附着在太阳能电池硅片的表面，形成一层SixNy薄膜。这种氮化硅膜制备装置在实际使用过程中存在以下问题：由于不同的制程气体密度各不相同，在将各种制程气体通入真空沉积室后，靠自由扩散很难将其混合均匀，这样就会造成真空沉积室内各处的气体成分以及各成分的浓度有差异，例如，有些地方氨气的浓度较大，有些地方氢化氨的浓度较大，进而导致真空沉积室内不同地方的硅片表面沉积的氮化硅的成分以及膜厚各不相同，很难保证产品质量，而且，制程气体从真空沉积室的前端进入后，在真空泵的作用下，制程气体很快就被抽到真空沉积室的尾端进而从抽气孔排出，这样在真空沉积室的前端气体较少，使得设置在前端的硅片表面最后生成的氮化硅膜偏薄，而真空沉积室的尾端则聚集了大量的气体，使得设置在尾端的硅片表面最后生成的氮化硅膜偏厚，这样就会出现大量的不合格产品，使得生产效率较低，而且会使生产成本大大增加。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种能够使各种制程气体混合均匀的氮化硅膜制备装置。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：该氮化硅膜制备装置，包括真空沉积室，真空沉积室内设置有多个等离子反应器，真空沉积室上设置有进气口与抽气口，所述进气口上连接有气体混合装置，所述气体混合装置上设置有进口与出口，所述进口上连接有多个用于通入制程气体的进气管，所述出口与真空沉积室的进气口连通。

进一步的是，所述气体混合装置为离心式混合机，所述离心式混合机包括芯体、壳体，芯体设置在壳体内，芯体表面开有螺旋槽，所述螺旋槽的内壁与壳体的内壁围成封闭的螺旋式气体通道，所述进口设置在壳体的一端并与螺旋式气体通道连通，所述出口设置在壳体的另一端并与螺旋式气体通道连通。

进一步的是，所述真空沉积室内设置有喷气管，喷气管位于等离子反应器上方，喷气管一端封闭，另一端与真空沉积室的进气口连通，在喷气管上与等离子反应器相对应的位置开有喷气孔。

进一步的是，所述喷气管通过活动结构连接在真空沉积室的内壁上。

进一步的是，所述活动结构包括固定在真空沉积室内壁上的吊环，所述喷气管悬挂在吊环上。

进一步的是，所述进气口、抽气口设置在真空沉积室的前端，所述真空沉积室内设置有两端敞开的排气管，排气管位于等离子反应器下方，排气管一端与抽气口连通，另一端延伸至真空沉积室的尾端。

本实用新型的有益效果是：通过在真空沉积室的进气口上连接气体混合装置，使得各种制程气体在进入真空沉积室之前，先利用气体混合装置对各种制程气体进行混合，使其混合均匀后，再通入真空沉积室内进行反应，这样真空沉积室内各处的气体成分以及各成分的浓度都相同，可以使真空沉积室内不同地方的硅片表面沉积的氮化硅的成分以及膜厚都趋于一致，能够大大提高产品质量。