[实用新型]外导体压铆结构有效
| 申请号： | 201220341151.X | 申请日： | 2012-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN202651320U | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 高贺彪 | 申请（专利权）人： | 武汉凡谷电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/20 | 分类号： | H01P1/20 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人： | 黄行军 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导体 结构 | ||
1.一种外导体压铆结构，包括外导体（1）和与其配合盖板（2）；所述外导体（1）分为导向柱（1.1）和底座（1.2）两部分，所述底座（1.2）的直径大于导向柱（1.1）的直径，导向柱（1.1）呈圆柱形；所述盖板（2）上开有直径与导向柱（1.1）的直径相配的通孔（2.1），其特征在于：在外导体（1）中，从所述导向柱（1.1）的底端朝向导向柱（1.1）顶端的方向沿轴向依次设有压铆台阶（1.3）和填充槽（1.4）；所述压铆台阶（1.3）沿导向柱（1.1）表面圆周一圈布置，其直径略大于通孔（2.1）的直径；所述填充槽（1.4）沿导向柱（1.1）表面圆周一圈布置，其直径略小于通孔（2.1）的直径；所述外导体（1）通过压铆工艺压入盖板（2）中的通孔（2.1）中，此时，导向柱（1.1）、填充槽（1.4）和压铆台阶（1.3）位于通孔（2.1）内。
2.根据权利1所述的外导体压铆结构，其特征在于：所述压铆台阶（1.3）的圆周面上沿中心对称设有一对防转平面。
3.根据权利1所述的外导体压铆结构，其特征在于：所述压铆台阶（1.3）的直径大于通孔（2.1）的直径0.5~1.5毫米。
4.根据权利1所述的外导体压铆结构，其特征在于：所述填充槽（1.4）底部的直径小于通孔（2.1）的直径0.5~1.5毫米。
5.根据权利1-4中任一权利要求所述的外导体压铆结构，其特征在于：所述导向柱（1.1）与通孔（2.1）为间隙配合。
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