[实用新型]一种具有喷雾功能的湿法刻蚀机有效
申请号: | 201220362016.3 | 申请日: | 2012-07-25 |
公开(公告)号: | CN202839710U | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 王虎;姚琪;陆波;邱小永 | 申请(专利权)人: | 浙江贝盛光伏股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/306 |
代理公司: | 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙) 33232 | 代理人: | 裴金华 |
地址: | 313000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 喷雾 功能 湿法 刻蚀 | ||
技术领域
本实用新型属于晶体硅太阳能电池片湿法刻蚀生产制造领域,具体涉及一种具有喷雾功能可将水膜完全覆盖在硅片表面的湿法刻蚀机。
背景技术
目前晶体硅太阳能电池片的主要生产流程为,制绒,扩散,湿法刻蚀,镀膜和印刷测试。其中,在湿法刻蚀工序中,硅片经常出现“过刻”现象,继而产生电池片返工、外观降级或者光电转换效率降低的异常现象。
目前的湿法刻蚀工艺,主要是在硅片上覆盖一层保护正面扩散层的水膜,然后经过混酸溶液进行边缘和背面腐蚀,以达到刻蚀目的。然而,生产过程中由于受到扩散后硅片表面状态差异、机台抽风的稳定性、液体循环流量稳定性和腐蚀液液位稳定性等影响,硅片表面经常会出现水膜覆盖不完全,由于硅片正面局部区域缺乏水膜的保护,从而导致腐蚀液体和气体对硅片正面区域进行腐蚀,造成“过刻”现象。
而目前常见的通过对水膜水量大小的调节,不能有效避免硅片正面局部出现的过刻现象,尤其是刻蚀前硅片存放时间过长,或者硅片正面有吸笔印,造成硅片表面状态发生变化,即硅片表面区域由亲水型变成疏水型,水流无法完全覆盖。同时。水流过量调节过大,一方面不会完全解决局部水膜覆盖不上的问题,另一方面过大的水膜量也会造成硅片边缘刻蚀不通,继而导致电池片漏电异常。产生“过刻”现象的硅片,会造成电池片返工、外观降级或者光电转换效率降低。 “过刻”现象是电池片湿法刻蚀的生产中所禁止的。
实用新型内容
本实用新型的目的是为解决上述问题提供一种利用雾滴将水膜完全覆盖在硅片表面的具有喷雾功能的湿法刻蚀机。
本实用新型的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的:
一种具有喷雾功能的湿法刻蚀机,所述湿法刻蚀机包括刻蚀机台和设置于刻蚀机台上用于传送硅片的滚轮,所述刻蚀机台上方设置有喷水装置,所述刻蚀机台上方位于喷水装置与硅片传送方向相反的一侧设置有喷雾装置,所述喷雾装置喷出的雾滴覆盖硅片表面。
作为优选,所述喷雾装置包括连接板和设置于连接板上的喷头。
作为优选,所述连接板上设置有一个喷头。
作为优选,所述连接板上设置有多个喷头。
作为优选,所述喷头喷雾方向与所述硅片传送方向呈30-150度角。
作为优选,所述雾滴的直径为1-1000微米。
作为优选,所述喷雾装置喷出的雾滴为去离子水。
作为优选,所述连接板上设置有两个喷头,分别位于连接板两端并与连接板形成一个倒置的梯形槽状。
为了避免水膜覆盖不完全,特在水流覆盖到硅片前,添加喷雾装置,利用雾状液滴对硅片表面有较强吸附力,以及雾滴可以降低水流在硅片表面张力的原理,可以使水膜在硅片表面完全覆盖。
综上所述,本实用新型具有以下有益效果:
1、通过喷雾装置有设置,水膜完全覆盖硅片表面,有效的防止硅片过刻或电池漏电现象,提高了产品的成品率以及成品质量。
2、该喷雾装置结构简单,成本低。
附图说明:
图1是刻蚀机台、喷水装置和喷雾装置示意图;
图中1-硅片,2-滚轮,3-喷水装置,4-喷雾装置,41-喷头,42-连接板。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步详细说明。
本具体实施例仅仅是对本实用新型的解释,其并不是对本实用新型的限制,本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改,但只要在本实用新型的权利要求范围内都受到专利法的保护。
实施例一:
如附图所示一种具有喷雾功能的湿法刻蚀机,所述湿法刻蚀机包括刻蚀机台和设置于刻蚀机台上用于传送硅片1的滚轮2,所述刻蚀机台上方设置有喷水装置3,所述刻蚀机台上方位于喷水装置3与硅片1传送方向相反的一侧设置有喷雾装置4,所述喷雾装置4喷出的雾滴覆盖硅片1表面。所述喷雾装置4包括连接板42和设置于连接板42上的喷头41。所述连接板42上设置有两个喷头41,分别位于连接板42两端并与连接板42形成一个倒置的梯形槽状。所述两个喷头41喷雾方向与所述硅片1传送方向呈45度和135度角。所述雾滴的直径为1微米。所述喷雾装置4喷出的雾滴为去离子水。
硅片1在刻蚀机台上经滚轮2传送过程中,先经过喷雾装置4,对硅片1表面进行喷淋雾滴,雾滴附着在硅片1表面,再经喷水装置3喷淋水膜,利用雾状液滴对硅片1表面有较强吸附力,以及雾滴可以降低水流在硅片1表面张力的原理,可以使水膜在硅片表面完全覆盖。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的