[实用新型]一种PECVD射频电极接头有效
申请号: | 201220384012.5 | 申请日: | 2012-08-03 |
公开(公告)号: | CN202786425U | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 吕勇;刘俊峰;陈健健;魏雪林;李先林;孟龙 | 申请(专利权)人: | 海南汉能光伏有限公司 |
主分类号: | C23C16/505 | 分类号: | C23C16/505 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏晓波 |
地址: | 570125 海南省海口*** | 国省代码: | 海南;66 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 pecvd 射频 电极 接头 | ||
1.一种PECVD射频电极接头,其特征在于,包括:
电极接口,所述电极接口包括具有插槽结构的电极接口本体(11),所述电极接口本体(11)的内壁嵌设有定位滚珠(14),所述电极接口本体(11)的外壁上套设有电极接口滑动座(12),所述电极接口滑动座(12)上开设有用于同所述定位滚珠(14)配合的第一凹槽,且所述电极接口滑动座(12)的一侧通过弹簧(16)连接于所述电极接口本体(1),所述弹簧(16)能够提供沿轴向远离所述插槽的槽底方向的回复力;
电极插口,包括具有用于同所述插槽结构配合的插头结构的电极插口本体(19),所述电极插口本体(19)还具有用于同所述电极接口滑动座(12)与所述弹簧(16)相对一侧相抵的底座结构,且所述插头结构的外壁上开设有用于同所述定位滚珠(14)配合的第二凹槽。
2.根据权利要求1所述的PECVD射频电极接头,其特征在于,所述第一凹槽和所述第二凹槽均为半球形凹槽。
3.根据权利要求2所述的PECVD射频电极接头,其特征在于,所述半球形凹槽的边缘部分倒有圆角。
4.根据权利要求1所述的PECVD射频电极接头,其特征在于,所述定位滚珠(14)具体为金属滚珠。
5.根据权利要求4所述的PECVD射频电极接头,其特征在于,所述定位滚珠(14)具体为定位钢珠。
6.根据权利要求1所述的PECVD射频电极接头,其特征在于,所述电极接口本体(11)上设置有用于防止所述电极接口滑动座(12)脱离的卡簧(15)。
7.根据权利要求1所述的PECVD射频电极接头,其特征在于,所述电极接口本体(11)的所述插槽结构内和所述电极插口本体(19)的所述插头结构上分别设置有用于传递高频电信号的电极接口连接部(13)和电极插口连接槽。
8.根据权利要求7所述的PECVD射频电极接头,其特征在于,所述电极插口连接槽内设置有弹性件。
9.根据权利要求8所述的PECVD射频电极接头,其特征在于,所述弹性件具体为三片金属弹片(18)。
10.根据权利要求1-9的任意一项所述的PECVD射频电极接头,其特征在于,所述插槽结构的内壁和所述插头结构的外壁上的相应部分分别具有相互配合的锥形面。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的