[实用新型]一种灰阶掩膜版、阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201220405695.8 | 申请日： | 2012-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN202710919U | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 惠官宝;张锋 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F1/60;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 韩国胜 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 灰阶掩膜版 阵列 显示装置 | ||
1.一种灰阶掩膜版，其特征在于，包括：
掩膜版主体，所述掩膜版主体上具有驱动电路图案区域和像素显示图案区域，
所述驱动电路图案区域中包括第一源电极掩膜图案和第一漏电极掩膜图案，所述第一源电极掩膜图案和第一漏电极掩膜图案之间具有第一沟道区，所述第一沟道区内设有第一灰阶线条图案；
所述像素显示图案区域中包括第二源电极掩膜图案和第二漏电极掩膜图案，所述第二源电极掩膜图案和第二漏电极掩膜图案之间具有第二沟道区，所述第二沟道区内设有第二灰阶线条图案；
所述第一灰阶线条图案的宽度大于第二灰阶线条图案的宽度。
2.如权利要求1所述的灰阶掩膜版，其特征在于，所述驱动电路图案区域为栅极驱动电路图案区。
3.如权利要求1所述的灰阶掩膜版，其特征在于，所述第一灰阶线条图案的宽度比第二灰阶线条图案的宽度宽0.1~0.3μm。
4.如权利要求3所述的灰阶掩膜版，其特征在于，所述第一灰阶线条图案的宽度比第二灰阶线条图案的宽度宽0.2μm。
5.如权利要求1所述的灰阶掩膜版，其特征在于，所述第一灰阶线条图案为方波形状。
6.如权利要求1所述的灰阶掩膜版，其特征在于，所述第二灰阶线条图案为方波形状。
7.一种使用权利要求1-6任一项灰阶掩膜版制作的阵列基板，包含驱动电路区和像素显示区，其特征在于，所述驱动电路区的薄膜晶体管的半导体层具有均一厚度，且所述像素显示区的薄膜晶体管的半导体层具有均一厚度。
8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7所述的阵列基板。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
