[实用新型]一种灰阶掩膜版、阵列基板、显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，特别是涉及一种灰阶掩膜版、阵列基板、显示装置。

背景技术

近年来，随着科技的发展，液晶显示器技术也随之不断完善。TFT-LCD（Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管-液晶显示器）以其图像显示品质好、能耗低、环保等优势占据着显示器领域的重要位置。近几年来，为了更好地提高图像显示品质和进一步降低生产成本，开发了一种将栅极驱动电路制作在TFT阵列基板上的新技术GOA（Gate driver On Array，栅极驱动电路）该技术可以省去栅极驱动芯片，从而大幅度降低了生产成本。

现有技术中，通常需要使用四次掩膜工艺来制备TN（Twisted Nematic，扭曲向列）型TFT-LCD阵列基板，其中有源层（半导体层）和源/漏金属层通过利用灰阶掩膜版曝光，只需一次曝光工艺即可完成半导体层和源/漏电极的制备。掩膜版上灰阶曝光的区域正对应TFT沟道处，曝光后沟道处剩余的光刻胶厚度直接由掩膜版上灰阶图案的透过率决定。

在包含GOA电路的TFT-LCD阵列基板上，面板周围设有大量的构成GOA电路的TFT结构，通常，该构成GOA电路的TFT具有较大的宽长比，沟道处所对应的灰阶掩膜版图案如图1a所示，该灰阶掩膜版中GOA电路图案区域包括第三源电极掩膜图案1’和第三漏电极掩膜图案2’，该第三源电极掩膜图案1’和第三漏电极掩膜图案2’之间设有沟道区，该沟道区内具有第三灰阶线条图案3’。该灰阶掩膜版中的像素显示图案区域结构如图1b所示，该像素显示图案区域包括第四源电极掩膜图案4’和第四漏电极掩膜图案6’，该第四源电极掩膜图案4’和第四漏电极掩膜图案6’之间具有第四沟道区，所述第四沟道区内设有第四灰阶线条图案5’。

现有的制作工艺中，GOA电路的TFT与阵列面板中像素显示区域的TFT采用相同的工艺可同时形成。但是，在实际工艺中本实用新型人发现，当使用具有较大的宽长比TFT的灰阶掩膜版进行曝光时，该GOA电路区域的TFT沟道处的透过率有所增加，因此，导致曝光后GOA电路中TFT沟道处剩余的光刻胶厚度小于像素中TFT沟道处剩余的光刻胶厚度，这样，导致在后续的灰化和刻蚀工艺中GOA电路中TFT的沟道中半导体层（有源层）出现过刻蚀现象，如图1c，为使用现有技术中的灰阶掩膜版制作出的阵列基板中GOA电路区TFT的半导体层7’和源/漏电极8’结构图，从图中可显示出，源/漏电极之间的沟道出现过刻蚀，从而造成GOA电路不能正常工作，进而影响整个产品品质。

实用新型内容

（一）要解决的技术问题

本实用新型要解决的技术问题是提供一种灰阶掩膜版阵列基板、显示装置，以克服现有技术中的掩膜版中的GOA电路图案区域中的灰阶线条图案过窄，导致在后续曝光后的灰化和刻蚀工艺中GOA电路中TFT的半导体层沟道区出现过刻蚀现象，造成GOA电路不能正常工作，进而影响整个产品品质等缺陷。

（二）技术方案

为了解决上述技术问题，本实用新型一方面提供一种灰阶掩膜版，包括：

掩膜版主体，所述掩膜版主体上具有驱动电路图案区域和像素显示图案区域，

所述驱动电路图案区域中包括第一源电极掩膜图案和第一漏电极掩膜图案，所述第一源电极掩膜图案和第一漏电极掩膜图案之间具有第一沟道区，所述第一沟道区内设有第一灰阶线条图案；

所述像素显示图案区域中包括第二源电极掩膜图案和第二漏电极掩膜图案，所述第二源电极掩膜图案和第二漏电极掩膜图案之间具有第二沟道区，所述第二沟道区内设有第二灰阶线条图案；

所述第一灰阶线条图案的宽度大于第二灰阶线条图案的宽度。

进一步地，所述驱动电路图案区域为栅极驱动电路图案区。

进一步地，所述第一灰阶线条图案的宽度比第二灰阶线条图案的宽度宽0.1~0.3μm。

进一步地，所述第一灰阶线条图案的宽度比第二灰阶线条图案的宽度宽0.2μm。

进一步地，所述第一灰阶线条图案为方波形状。

进一步地，所述第二灰阶线条图案为方波形状。

再一方面，本实用新型还提供一种使用上述灰阶掩膜版制作的阵列基板，包含驱动电路区和像素显示区，所述驱动电路区的薄膜晶体管的半导体层具有均一厚度，所述像素显示区的薄膜晶体管的半导体层具有均一厚度。

再一方面，本实用新型还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。

（三）有益效果