[实用新型]发光二极管阵列基板有效
申请号: | 201220416558.4 | 申请日: | 2012-08-21 |
公开(公告)号: | CN202839736U | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 邱立国 | 申请(专利权)人: | 茂丞科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/50 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 中国台湾台北市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 阵列 | ||
1.一种发光二极管阵列基板,其特征在于,包括:
N排导电子基板,其中2≤N≤1000,其中两相邻的导电子基板之间具有一缺槽,使得N-1个缺槽隔开N排导电子基板;以及
多个发光二极管单元,其中各该发光二极管单元设置在两相邻的该导电子基板之间,其中各该发光二极管单元包括:
一外框架,设于对应两相邻的该导电子基板;
一发光二极管芯片,设置在该外框架内;以及
至少两导电线,与该发光二极管芯片电性连接,并用以电性连接对应两相邻的该导电子基板。
2.根据权利要求1所述的发光二极管阵列基板,其特征在于,两相邻的该导电子基板包括有M个发光二极管单元,其中2≤M≤1000。
3.根据权利要求2所述的发光二极管阵列基板,其特征在于,该多个发光二极管单元总共有M×(N-1),使得M×(N-1)个发光二极管单元以阵列方式排列。
4.根据权利要求3所述的发光二极管阵列基板,其特征在于,M及N都至少大于4。
5.根据权利要求1,2,3或4任一所述的发光二极管阵列基板,其特征在于,各该发光二极管单元还包括一荧光包覆物,该荧光包覆物包覆对应的该发光二极管芯片。
6.根据权利要求5所述的发光二极管阵列基板,其特征在于,该发光二极管芯片设置在该外框架内,并贴附在外框架内两相邻的该导电子基板上,可根据需要放置在不同方位,然后用金属线接,以能在不同方向控制导通点亮,增加应用的变化性。
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