[实用新型]一种晶体生长装置有效
申请号: | 201220423534.1 | 申请日: | 2012-08-24 |
公开(公告)号: | CN202830217U | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 刘景峰 | 申请(专利权)人: | 北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00 |
代理公司: | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人: | 尹振启;陈志 |
地址: | 100016 北京市朝*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体生长 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种晶体生长装置,具体涉及一种提拉法晶体生长装置。
背景技术
追求完美的高质量的激光晶体,一直是晶体科研人员主要的研究方向。采用提拉法生长晶体是当前最主要的生长方法。以生长Nd:YAG系列激光晶体为例,目前,国内电阻加热提拉法生长Nd:YAG系列激光晶体普遍采用石墨加热器和钼结构温场。这种装置消耗功率高、晶体散射颗粒多、加热器和温场易变形,使用寿命较短。
实用新型内容
针对上述现有技术存在的不足,本实用新型的目的在于提供一种新型提拉法晶体生长装置,该装置采用钨制加热器和钨制保温罩,克服了背景技术中存在的诸多问题。
为了达到上述目的,本实用新型一种晶体生长装置,包括钨制保温罩,在保温罩内设置有盛放晶体原材料的钨制坩埚,在坩埚上方设置有钨制提拉杆,围绕坩埚设置有钨制加热器,保温罩顶壁设置有透孔,所述提拉杆下端设置有籽晶,提拉杆向上穿过透孔,可做上下运动和周向旋转。
进一步,所述坩埚设置在托架上,坩埚下方设置有热量反射罩。
进一步,所述保温罩内设置有钨制电极做成的支架,钨制加热器通过所述钨制电极悬挂在坩埚周围。
进一步,所述保温罩通过设置在罩体外侧的吊杆悬置。
本实用新型一种晶体生长装置,适用于提拉法生长晶体,采用钨制加热器和钨制保温罩,钨加热器因高温产生的变形只是缓慢下垂,整个加热器的外形没有改变,解决了在下次使用时加热不均匀的问题,保温罩同样不易在高温下变形;本实用新型的结构简单,装炉方便、温场稳定、加热器和温场不变形,使得加热器和温场的使用寿命增长;同时可实现高浓度的无核心、无位错、无散射颗粒的Nd:YAG晶体生长,并且生长周期短、生长成本低。
附图说明
附图为本实用新型的结构视图;
图中:1.托架、2.电极、3.加热器、4.保温罩、5.吊杆、6.提拉杆、7.籽晶、8.坩埚、9.坩埚托、10.反射罩。
具体实施方式
为更进一步阐述本实用新型为达到预定发明目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图和较佳实施例,对本实用新型的结构、特征以及功效详细说明如后。
如附图所示,本实用新型的保温罩4分为侧保温屏和上保温屏,均采用钨材料制作,通过设置在罩体外侧的吊杆5悬置。因为钨熔点非常高,长时间处于高温下不易变形,所以本实用新型的关键部件均采用钨材料制作。
如附图所示,在保温罩4内设置有盛放晶体原材料的钨制坩埚8,在坩埚8上方设置有钨制提拉杆6,围绕坩埚8设置有钨制加热器3,保温罩4顶壁设置有透孔,提拉杆6下端设置有籽晶7,籽晶7与坩埚8内的原材料溶液接触,提拉杆6向上穿过透孔,可做上下运动和周向旋转,实现提拉法生长。
如附图所示,坩埚8设置在托架1上,坩埚8放置在坩埚托9上,下方还设置有热量反射罩10,反射罩10 可增强坩埚8的受热。
如附图所示,保温罩4内设置有两个钨制电极2做成的支架,钨制加热器3通过钨制电极2悬挂在坩埚8周围。钨加热器3因高温产生的变形只是缓慢下垂,整个加热器3的外形没有改变,解决了在下次使用时加热不均匀的问题。
上面所述只是为了说明本实用新型,应该理解为本实用新型并不局限于以上实施例,符合本实用新型思想的各种变通形式均在本实用新型的保护范围之内。
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