[实用新型]硅芯棒组件和多晶硅还原炉

说明书

技术领域

本实用新型涉及多晶硅生产技术领域，尤其涉及一种用于多晶硅还原炉的硅芯棒组件及具有该硅芯棒组件的多晶硅还原炉。

背景技术

制造多晶硅方法包括公知的西门子法，这种方法中，通常采用的还原炉由炉底和炉体组成反应室，炉底由冷却水系统进行冷却；钟罩型的炉体具有冷却水夹套，炉体坐落在炉底上。在炉底上还设置有多对电极和安装在电极上的用于沉积多晶硅的硅芯棒。

硅芯棒是由两根长度约2~3米的立棒和连接两根立棒长度约为25~30cm的一根横棒为一组，可统称为一组“硅芯棒组件”，两根立棒分别安装在炉底的石墨电极上，一对石墨电极上安装一组硅芯棒组件。

在工艺过程中，通电利用电阻加热将硅棒的温度加热到约1100~1150℃，并将氯硅烷气体和氢气构成的混合气体作为原料气体导入还原炉内，使原料气体与加热后的硅芯棒接触而在硅芯棒上析出多晶硅。析出多晶硅的硅芯棒可以称为“硅棒”。

然而，现有技术中，是把硅芯棒组件的横梁用钼丝绑在硅芯棒组件的立棒上，因此，在工艺过程初期，由于还原炉内气体流动，横棒与立棒之间有易松脱的问题；而在硅棒长粗后，钼丝被埋在硅棒里，在取下硅棒后并进行切割后，需要把含有钼丝部分的硅块另行回收处理，这样严重影响产品质量与产率。

发明内容

本实用新型的目的为提供一种硅芯棒组件，以解决现有技术的硅芯棒组件的横棒与立棒之间易松脱，并影响多晶硅产品质量及产率的技术问题。

本实用新型的另一目的为提供一种具有本实用新型硅芯棒组件的多晶硅还原炉。

为实现上述目的，本实用新型的技术方案如下：

一种硅芯棒组件，用以设置在多晶硅还原炉中沉积多晶硅，该硅芯棒组件包括竖立安装的两根立棒和连接所述两根立棒的一根横棒，所述横棒的两端分别榫接在所述两根立棒的顶端。

本实用新型的硅芯棒组件，优选的，在所述横棒的两端形成有榫头，在所述立棒上开设与所述榫头配合的榫槽，所述立棒与所述横棒的直径相同，所述榫头的长度等于所述立棒的直径。

本实用新型的硅芯棒组件，优选的，所述榫头的外侧具有堵头

本实用新型的硅芯棒组件，优选的，所述榫头和所述榫槽的横截面均为矩形。

本实用新型的硅芯棒组件，优选的，所述榫槽的宽度为所述立棒直径的三分之一，所述榫头的宽度为所述横棒的直径的三分之一。

本实用新型的硅芯棒组件，优选的，所述榫槽的深度为所述立棒直径的三分之二至四分之三。

本实用新型的硅芯棒组件，优选的，所述立棒的直径为7毫米，所述榫槽的深度为5毫米。

本实用新型的硅芯棒组件，优选的，所述榫槽和所述榫头的截面均为直角梯形。

本实用新型的硅芯棒组件，优选的，所述榫槽和所述榫头的截面均为等腰梯形，所述梯形的侧边与底边所成的角度大于90且小于等于95度，所述榫槽的深度为所述立棒直径的三分之二至四分之三。

一种多晶硅还原炉，所述多晶硅还原炉的每一对电极上安装一组本实用新型的硅芯棒组件。

本实用新型的有益效果在于，本实用新型的硅芯棒组件，具有连接牢固可靠，接触好，而且安装快捷的优点。克服了现有技术中存在的横棒与立棒之间易松脱的问题；而且本实用新型的硅芯棒组件，不再依靠钼丝进行连接，因此在硅棒长粗后，不会有影响多晶硅质量与产率的成分埋在硅棒里，在取下硅棒后，不需要再对部分硅块另行回收处理，因而提高了产品质量与产率，简化了工艺过程。

附图说明

图1为本实用新型的硅芯棒组件的示意图。

图2是本实用新型第一实施例的硅芯棒组件中立棒的榫槽的轴测图。

图3是本实用新型第一实施例的硅芯棒组件中横棒的主视图。

图4是图3的A-A剖视图。

图5是本实用新型第二实施例的硅芯棒组件中立棒的榫槽的轴测图。

图6是本实用新型第二实施例的硅芯棒组件中横棒的主视图。

图7是图6的B-B剖视图。

具体实施方式

体现本实用新型特征与优点的典型实施例将在以下的说明中详细叙述。应理解的是本实用新型能够在不同的实施例上具有各种的变化，其皆不脱离本实用新型的范围，且其中的说明及附图在本质上是当作说明之用，而非用以限制本实用新型。

本实用新型实施例的多晶硅还原炉，具有本实用新型实施例的硅芯棒组件，即在多晶硅还原炉的每一对电极上安装一组本实用新型实施例的硅芯棒组件，以在硅芯棒组件上沉积多晶硅。其中的电极，优选的为石墨电极。