[实用新型]半鳍式FET半导体器件有效
| 申请号： | 201220472095.3 | 申请日： | 2012-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN202816956U | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 陈向东;夏维 | 申请（专利权）人： | 美国博通公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 田喜庆 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半鳍式 fet 半导体器件 | ||
1.一种半鳍式FET半导体器件，包括：
栅极结构，形成于半导体主体上方；
所述半导体主体包括由延伸超过所述栅极结构的第一侧的多个鳍构成的源极区；
所述半导体主体还包括与所述栅极结构的与所述多个鳍相对的第二侧相邻的连续漏极区；
其中，所述连续漏极区使得所述半鳍式FET半导体器件具有降低的导通电阻。
2.根据权利要求1所述的半鳍式FET半导体器件，还包括位于所述栅极结构下方并与所述多个鳍相连的沟道区。
3.根据权利要求1所述的半鳍式FET半导体器件，其中，所述半鳍式FET半导体器件是n沟道金属氧化物半导体（NMOS）器件。
4.根据权利要求1所述的半鳍式FET半导体器件，其中，所述半鳍式FET半导体器件是p沟道金属氧化物半导体（PMOS）器件。
5.根据权利要求1所述的半鳍式FET半导体器件，其中，所述半鳍式FET半导体器件是横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件。
6.根据权利要求1所述的半鳍式FET半导体器件，其中，所述半鳍式FET半导体器件还包括形成于所述连续漏极区和所述栅极结构之间的隔离体。
7.根据权利要求1所述的半鳍式FET半导体器件，其中，所述多个鳍为硅鳍。
8.根据权利要求1所述的半鳍式FET半导体器件，其中，所述栅极结构包括栅极和置于所述栅极与所述半导体主体之间的栅极介质。
9.根据权利要求1所述的半鳍式FET半导体器件，其中，所述栅极结构包括多晶硅栅极以及置于所述多晶硅栅极和所述半导体主体之间的选自氧化硅和氮化硅之一的栅极介质。
10.根据权利要求1所述的半鳍式FET半导体器件，其中，所述栅极结构包括金属栅极和置于所述金属栅极与所述半导体主体之间的高κ栅极介质。
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