[实用新型]平板型IGBT模块封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种平板型IGBT模块封装结构。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

平板型IGBT模块主要应用于高压直流输变电领域，该模块可用于多个模块串联，可实现积木堆栈结构、功率大等特点。在直流输变电系统中，常将许多模块串联使用，也就是把模块堆叠成一串，因此，每个模块在机械结构上需要分散很大的力。而这种力主要集中在顶盖、外壳、底板上，顶盖、底板均为平板设计，那么压力主要承受在外壳上，外壳设计的优劣直接关系了模块是否能够承受很大的安装力。

因此，针对上述技术问题，有必要提供一种平板型IGBT模块封装结构。实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供一种平板型IGBT模块封装结构能够简单、方便、准确的实现模块顶盖、外壳和底板的组合连接。

为了实现上述目的，本实用新型实施例提供的技术方案如下：

一种平板型IGBT模块封装结构，包括平行设置的顶盖和底板，所述封装结构还包括安设于所述顶盖和底板之间的外壳，所述外壳由若干边框一体成型，边框与顶盖和底板形成用于收容IGBT模块的收容空间，所述相连的边框内侧设为圆角结构。

作为本实用新型的进一步改进，外壳与顶盖和/或底板接触面上设有凹槽，所述凹槽内放置有均压垫。

作为本实用新型的进一步改进，圆角结构设于凹槽内侧范围。

作为本实用新型的进一步改进，顶盖和底板设有若干相互对应的安装孔，所述外壳上设有若干与所述安装孔对应的垂直于所述顶盖和底板的定位孔。

作为本实用新型的进一步改进，定位孔设于所述外壳边框的两端。

作为本实用新型的进一步改进，定位孔还设于所述外壳边框的两端之间，同一个边框上的定位孔之间的距离相等。

作为本实用新型的进一步改进，外壳的一边框上设有若干凹陷设置的安装部。

作为本实用新型的进一步改进，安装部上设有与顶盖和底板平行的安装孔。

本实用新型的有益效果是：平板型IGBT模块封装结构能够简单、方便、准确的实现模块顶盖、外壳和底板的组合连接。外壳中圆角结构的设计能够有限分散该外壳在制作过程中产生的应力，有效地解决模块在使用环境中的压力分配及压力均衡问题；外壳上凹槽的设计能够放置均压垫，起到均衡压力的作用。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型一实施方式中平板型IGBT模块封装结构的立体示意图；

图2为本实用新型一实施方式中平板型IGBT模块封装结构中外壳的立体结构示意图；

图3为本实用新型一实施方式中平板型IGBT模块封装结构中外壳的俯视结构示意图；

图4本实用新型一实施方式中平板型IGBT模块封装结构中外壳的局部结构示意图；

图5本实用新型另一实施方式中平板型IGBT模块封装结构中外壳的立体结构示意图；

图6本实用新型另一实施方式中平板型IGBT模块封装结构中外壳的局部结构示意图。