[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201220526059.0 | 申请日： | 2012-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN202957233U | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 邱祥清;吴声明;杨光浩;林恭安;王晨聿 | 申请（专利权）人： | 颀邦科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体结构，其特征在于其至少包含：
硅基板，其具有主动面及背面；
钛层，其形成于该背面，该钛层具有上表面；
镍层，其形成于该钛层的该上表面；
银层，其形成于该镍层上；以及
金属材质黏着层，其形成于该镍层及该银层之间。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于该金属材质黏着层的材质选自于钛。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于该钛层的厚度范围介于。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于该镍层的厚度范围介于。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于该银层的厚度范围介于。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于该金属材质黏着层的厚度范围介于。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于该金属材质黏着层具有第一厚度，该钛层具有第二厚度，该第一厚度不大于该第二厚度。
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