[实用新型]半导体结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体结构，特别是涉及一种可降低电阻的半导体结构。

背景技术

现有习知的半导体制造工艺中，为了改善高功率IC散热问题而开发出晶背金属化制造工艺(Back Side Metal Process)，其是在晶圆背面蒸镀或溅镀一层或多层可做为接合/导热用的金属层，该金属层亦可再接合基材(例如：散热片/Lead frame)，以达到较佳的散热及导电效果，目前一般蒸镀或溅镀于晶圆背面的金属层大多选用金或银，但目前金价居高不下，因此基于成本考虑下，银层为较佳选择，然银层与硅晶圆之间必须以钛层作为黏着层，但后端封装制造工艺中温度过高而钛层厚度薄时，银层会融化而扩散至硅-钛层，造成硅晶圆与银层剥离，反之，温度过高而钛层厚度厚时，钛-银层会产生接口合金共化物，因而导致电阻抗上升。

有鉴于上述现有的半导体结构存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新型结构的半导体结构，能够改进一般现有的半导体结构，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计,并经反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本实用新型。

发明内容

本实用新型的目的在于，克服现有的半导体结构存在的缺陷，而提供一种新型结构的半导体结构，所要解决的技术问题是使半导体结构能达到最佳的散热及导电效果，并可降低封装后的电阻抗，从而更加适于实用。

本实用新型的目的及解决其技术问题是采用以下的技术方案来实现的。依据本实用新型提出的半导体结构，其至少包含：硅基板，其具有主动面及背面；钛层，其形成于该背面，该钛层具有上表面；镍层，其形成于该钛层的该上表面；银层，其形成于该镍层上；以及金属材质黏着层，其形成于该镍层及该银层之间。

本实用新型的目的以及解决其技术问题还可以采用以下的技术措施来进一步实现。

前述的半导体结构，其中该金属材质黏着层的材质选自于钛。

前述的半导体结构，其中该钛层的厚度范围介于

前述的半导体结构，其中该镍层的厚度范围介于

前述的半导体结构，其中该银层的厚度范围介于

前述的半导体结构，其中该金属材质黏着层的厚度范围介于

前述的半导体结构，其中该金属材质黏着层具有第一厚度，该钛层具有第二厚度，该第一厚度不大于该第二厚度。

本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案,本实用新型半导体结构可达到相当的技术进步性及实用性，并具有产业上的广泛利用价值，其至少具有下列优点：借由该金属材质黏着层使该镍层与该银层具有良好的结合强度，且该镍层可作为良好的阻障层，进而使该半导体结构达到最佳的散热及导电效果，并降低封装后的电阻抗。

上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能更清楚了解本实用新型的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为让本实用新型的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例,并配合附图，详细说明如下。

附图说明

图1是依据本实用新型的一较佳实施例，一种半导体结构示意图。

图2是依据本实用新型的一较佳实施例，该半导体结构的电子显微镜拍摄的照片图。

【主要元件符号说明】

100：半导体结构

110：硅基板   111：主动面

112：背面

120：钛层     121：上表面

130：镍层     140：银层

150：金属材质黏着层

T1：第一厚度   T2：第二厚度

具体实施方式

为更进一步阐述本实用新型为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本实用新型提出的半导体结构其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。