[实用新型]单晶炉用温度过渡环有效
申请号: | 201220533280.9 | 申请日: | 2012-10-18 |
公开(公告)号: | CN202913083U | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 梁仁和;李宗仁;赵婷玮 | 申请(专利权)人: | 北京京仪世纪电子股份有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100079 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单晶炉用 温度 过渡 | ||
【权利要求书】:
1.一种单晶炉用温度过渡环,其特征是:所述温度过渡环厚度为10mm。
2.根据权利要求1所述的一种硅单晶炉用温度过渡环,其特征是:所述温度过渡环位置与保温盖位置同心放置。
3.根据权利要求1所述的一种单晶炉用温度过渡环,其特征是:所述温度过渡环的内径和高度在不影响硅单晶炉观察窗视线的情况下,内径越小越好,高度越高越好,但内径不能小于保温盖的内口径,高度不能高于硅单晶炉主室的上沿高度。
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