[实用新型]单晶炉用温度过渡环

说明书

技术领域

本实用新型涉及硅单晶炉所有型号的热系统，具体是在硅单晶炉热系统结构中加入了一个温度过渡环。

背景技术

目前直拉硅单晶的热系统结构中没有温度过渡环，拉制的硅单晶棒从导流筒内部逐步上升，当上升到导流筒高度以外后，硅单晶棒周围直接就是硅单晶炉内壁，硅单晶炉内外壁之间有冷却水，以保证拉晶过程中炉壁温度不至于过高而损坏，这样硅单晶炉内壁温度就比较低。导流筒底部温度为800度左右，导流筒上部温度为500度左右，在导流筒这部分温度可以缓慢的由800度左右过渡到500度左右，一旦高出导流筒，由于周围直接是温度较低的硅单晶炉内壁，温度就会快速下降，这样当硅单晶棒升出导流筒以后，硅单晶棒的温度就会快速下降，硅单晶棒将承受巨大的热应力，影响硅单晶棒内部的位错等参数，降低硅单晶棒的质量，严重的时候可以引起硅单晶棒断线，降低硅单晶棒成品率。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是：在导流筒以外的区域实现温度缓慢降低，减少硅单晶棒由于快速降温而产生的热应力，提高硅单晶棒的质量和成品率。

本实用新型解决起技术问题所采用的技术方案是：制作一个温度过渡环，放置在硅单晶炉热系统的保温盖上，保温盖的位置与温度过渡环的位置同心。

所述的温度过渡环采用等静压石墨制成。

本实用新型的有益效果是：通过在硅单晶炉热系统中加入温度过渡环，使得在导流筒以上的区域温度降低的缓慢，这样当硅单晶棒升出导流筒以后，硅单晶棒的温度可以缓慢的下降，减小温度降低给硅单晶棒带来的热应力，提高硅单晶棒的质量和成品率。

附图说明

图1为温度过渡环结构示意图

图2为硅单晶炉和热场结构示意图

图中1.硅单晶炉观察窗    2.硅单晶棒        3.温度过渡环

    4.保温盖            5.硅单晶炉主室    6.导流筒

具体实施方式

如图1所示，用等静压细料制作一个温度过渡环(3)，厚度为10mm，温度过渡环(3)的内径和高度在不影响硅单晶炉观察窗(1)视线的情况下，内径越小越好，高度越高越好，但内径不能小于保温盖(4)的内口径，高度不能高于硅单晶炉主室(5)的上沿高度。

如图2所示，使用时，把温度过渡环(3)放置在硅单晶炉热系统的保温盖(4)上，保温盖(4)的位置与温度过渡环(3)的位置同心，这样在导流筒(6)以上部分形成一个温度缓慢下降区，当硅单晶棒(2)升出导流筒(6)后，由于温度过渡环(3)的作用，可以使硅单晶棒(2)的温度缓慢下降，减少硅单晶棒(2)内部位错，提高硅单晶棒(2)的质量和成品率，具有很好的推广价值。