[实用新型]发光元件有效

专利信息
申请号: 201220569380.7 申请日: 2012-10-31
公开(公告)号: CN203038965U 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: 吴裕朝;刘艳;吴冠伟;王瑞庆;陈浩明 申请(专利权)人: 刘艳
主分类号: H01L33/36 分类号: H01L33/36;H01L33/02;H01L33/64
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 523909 广东省东莞*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件
【权利要求书】:

1.一种发光元件,其特征在于,包括: 

基板; 

第一导电型半导体层,位于所述基板上; 

发光层,位于所述第一导电型半导体层的正面; 

第二导电型半导体层,位于所述发光层的正面; 

正电极,位于所述第二导电型半导体层的正面;以及 

负电极,至少部分位于所述第一导电型半导体层的侧面。 

2.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,所述负电极至少还部分位于所述第一导电型半导体层的正面。 

3.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,所述负电极至少还部分位于所述发光层的侧面、所述第二导电型半导体层的侧面以及所述第二导电型半导体层的正面。 

4.根据权利要求1或2所述的发光元件,其特征在于,所述第一导电型半导体层的形成有所述负电极的侧面为倾斜面。 

5.根据权利要求1-3中任一项所述的发光元件,其特征在于,所述负电极至少部分位于所述第一导电型半导体层的一个侧面、两个侧面、三个侧面或者四个侧面上。 

6.根据权利要求4所述的发光元件,其特征在于,所述负电极至少部分位于所述第一导电型半导体层的一个侧面、两个侧面、三个侧面或者四个侧面上。 

7.根据权利要求1-3中任一项所述的发光元件,其特征在于,还包括保护层,所述保护层位于所述正电极与所述负电极之间,并从所述第二导电型半导体层延伸至所述第一导电型半导体层。 

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