[实用新型]发光元件

说明书

技术领域

本实用新型涉及发光元件技术领域，具体涉及一种发光元件。

背景技术

图1为现有技术中氮化镓（GaN）发光二极管（Light Emitting Diode，LED）的结构示意图。如图1所示，该发光二极管包括依次形成于基板10上的n型氮化镓层20、发光层30、p型氮化镓层40以及氧化铟锡（ITO）层90，其中n型氮化镓层20和p型氮化镓层40被蚀刻掉一部分而暴露了部分n型氮化镓层20，在该暴露的n型氮化镓层20上形成有负电极82，在p型氮化镓层40以及ITO层90上形成有正电极81，并在正电极81、ITO层90、n型氮化镓层20以及负电极82上形成有保护层61。

由于蓝宝石（Sapphire）制作的基板10不导电，故电极必须设置在发光二极管的正面，即正电极81形成于p型氮化镓层40的正面，负电极82形成于n型氮化镓20的正面。这种结构中，无论发光二极管如何放置，其电流方向都是垂直的。但是在制作负电极82时，必须将发光二极管由p型氮化镓层40的表面蚀刻至n型氮化镓层20，且蚀刻的沟槽必须足够宽，才能通过打线的方式在n型氮化镓层20的表面形成负电极82。这样，原本由发光层30所在的区域构成的发光区域就被蚀刻掉了一部分，从而影响了发光效果；另一方面由于蓝宝石制作的基板10的导热性较差，因此LED发光时所产生的热量难以及时散出，从而会降低LED的性能。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是如何减少发光元件的遮光面积，并提高电流散布效率，增加发光元件的发光区域。

第一方面，本实用新型实施例提供了一种发光元件，包括：

基板；

第一导电型半导体层，位于所述基板上；

发光层，位于所述第一导电型半导体层的正面；

第二导电型半导体层，位于所述发光层的正面；

正电极，位于所述第二导电型半导体层的正面；以及

负电极，至少部分位于所述第一导电型半导体层的侧面。

结合第一方面，在第一种可能的实施方式中，所述负电极至少还部分位于所述第一导电型半导体层的正面。

结合第一方面，在第二种可能的实施方式中，所述负电极至少还部分位于所述发光层的侧面、所述第二导电型半导体层的侧面以及所述第二导电型半导体层的正面。

结合第一方面或第一方面的第一种可能的实施方式，在第三种可能的实施方式中，所述第一导电型半导体层的形成有所述负电极的侧面为倾斜面。

结合第一方面或第一方面的第一或第二种可能的实施方式，在第四种可能的实施方式中，所述负电极至少部分位于所述第一导电型半导体层的一个侧面、两个侧面、三个侧面或者四个侧面上。

结合第一方面的第三种可能的实施方式，在第五种可能的实施方式中，所述负电极至少部分位于所述第一导电型半导体层的一个侧面、两个侧面、三个侧面或者四个侧面上。

结合第一方面，在第六种可能的实施方式中，还包括保护层，所述保护层位于所述正电极与所述负电极之间，并从所述第二导电型半导体层延伸至所述第一导电型半导体层。

本实用新型实施例提供的发光元件，通过把负电极形成于发光元件的侧面上，有效减少了传统发光元件的遮光面积，并且提高了电流散布效率；同时由于形成于侧面的负电极所需蚀刻掉的发光层较少，从而增加了发光区域，改善了发光元件的发光品质；另一方面由于发光层散发的热量离印刷电路板（PrintedCircuitBoard，PCB）较近，因此可以导热效果更好。

附图说明

图1是现有技术中氮化镓发光二极管的结构示意图；

图2是本实用新型一个实施例提供的发光元件制作方法的流程图；

图3（a）-图3（d）分别是本实用新型一个实施例提供的发光元件制作方法的各工艺过程中发光元件的剖面图；

图3（e）是与图3（d）所对应的立体图；

图4是本实用新型另一个实施例提供的发光元件制作方法中发光元件的剖面图；

图5是图4所示的发光元件与PCB板连接的示意图；

图6（a）-图6（e）分别是本实用新型又一个实施例提供的发光元件制作方法的各工艺过程中发光元件的剖面图；

图7（a）-图7（b）分别是与图6（e）所示的发光元件连接的PCB的结构示意图以及封装后的结构示意图；

图8是本实用新型一个实施例提供的具有倾斜负电极的发光元件的剖面图；

图9是本实用新型另一个实施例提供的具有倾斜负电极的发光元件的剖面图；

图10（a）和图10（b）分别是本实用新型一个实施例提供的具有三面负电极的发光元件的立体图和剖面图；