[实用新型]高性能大电流VDMOS功率器件芯片双点键合封装结构有效
申请号: | 201220570677.5 | 申请日: | 2012-11-01 |
公开(公告)号: | CN202871801U | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 陈建斌 | 申请(专利权)人: | 江阴苏阳电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L23/495 |
代理公司: | 江阴市同盛专利事务所 32210 | 代理人: | 唐纫兰;曾丹 |
地址: | 214421 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 性能 电流 vdmos 功率 器件 芯片 双点键合 封装 结构 | ||
1.一种高性能大电流VDMOS功率器件芯片双点键合封装结构,它包括框架(1)以及粘贴于框架(1)上的大电流VDMOS功率器件芯片(2),所述大电流VDMOS功率器件芯片(2)的G极与框架(1)的G脚之间连接有一根G引线(3),所述大电流VDMOS功率器件芯片(2)的S极与框架(1)的S脚之间连接有两根S引线(4),其特征在于所述S引线(4)与大电流VDMOS功率器件芯片(2)的S极之间为双点键合。
2.根据权力要求1所述的一种高性能大电流VDMOS功率器件芯片双点键合封装结构,其特征在于所述S引线(4)与大电流VDMOS功率器件芯片(2)的S极之间的四个键合点(5)均匀布置于大电流VDMOS功率器件芯片(2)的S极。
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