[实用新型]高性能大电流VDMOS功率器件芯片双点键合封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体封装结构，尤其涉及一种高性能大电流VDMOS功率器件芯片双点键合封装结构。

背景技术

参见图1，传统的大电流VDMOS功率器件芯片封装结构包括框架1以及粘贴于框架1上的大电流VDMOS功率器件芯片2，所述大电流VDMOS功率器件芯片2的G极与框架1的G脚之间连接有一根G引线3，所述大电流VDMOS功率器件芯片2的S极与框架1的S脚之间连接有两根S引线4，所述S引线4与大电流VDMOS功率器件芯片2的S极之间为单点键合，即每根S引线4与大电流VDMOS功率器件芯片2的S极的连接处均设置有一个键合点5。由于单点键合使得S引线4与大电流VDMOS功率器件芯片2的S极之间接触面积较小，使得电性内阻增大，芯片性能降低，为了增加接触面积，可以使用两根以上S引线，可是这样会增大成本。因此寻求一种提升性能且不增加成本的大电流VDMOS功率器件芯片双点键合封装结构尤为重要。

发明内容

本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种提升性能且不增加成本的大电流VDMOS功率器件芯片绝缘封装结构。 

本实用新型的目的是这样实现的：

一种高性能大电流VDMOS功率器件芯片双点键合封装结构，它包括框架以及粘贴于框架上的大电流VDMOS功率器件芯片，所述大电流VDMOS功率器件芯片的G极与框架的G脚之间连接有一根G引线，所述大电流VDMOS功率器件芯片的S极与框架的S脚之间连接有两根S引线，所述S引线与大电流VDMOS功率器件芯片的S极之间为双点键合。

作为一种优选，所述S引线与大电流VDMOS功率器件芯片的S极之间的四个键合点均匀布置于大电流VDMOS功率器件芯片的S极。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

本实用新型由于S引线与大电流VDMOS功率器件芯片的S极之间为双点键合，使得S引线与大电流VDMOS功率器件芯片的S极之间增大了接触面积，使得电性内阻减小，芯片性能提高的同时不会增加成本。

附图说明

图1为传统大电流VDMOS功率器件芯片封装结构的结构示意图。

图2为本实用新型高性能大电流VDMOS功率器件芯片双点键合封装结构的结构示意图。

其中：

框架1

大电流VDMOS功率器件芯片2

G引线3

S引线4

键合点5。

具体实施方式

参见图2，本实用新型涉及的一种高性能大电流VDMOS功率器件芯片双点键合封装结构，它包括框架1以及粘贴于框架1上的大电流VDMOS功率器件芯片2，所述大电流VDMOS功率器件芯片2的G极与框架1的G脚之间连接有一根G引线3，所述大电流VDMOS功率器件芯片2的S极与框架1的S脚之间连接有两根S引线4，所述S引线4与大电流VDMOS功率器件芯片2的S极之间为双点键合，即每根S引线4与大电流VDMOS功率器件芯片2的S极的连接处均设置有两个键合点5，共四个键合点5均匀布置于大电流VDMOS功率器件芯片2的S极。