[实用新型]可重组态的高速存储芯片模块和电子系统装置有效

专利信息
申请号: 201220577078.6 申请日: 2012-11-05
公开(公告)号: CN203179011U 公开(公告)日: 2013-09-04
发明(设计)人: 甘万达;卢超群;宋建迈 申请(专利权)人: 钰创科技股份有限公司
主分类号: G06F13/16 分类号: G06F13/16;H01L23/552;H01L23/367
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人: 江耀纯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 组态 高速 存储 芯片 模块 电子 系统 装置
【权利要求书】:

1.一种可重组态的高速存储芯片模块,包括: 

一种型式的存储单元数组,其中该种型式的存储单元数组包括多个存储单元数组集成电路; 

该高速存储芯片模块的特征在于还包括: 

一第一传输总线,耦接于该种型式的存储单元数组,具有一第一可编程的传送或接收数据速率、一第一可编程的传送或接收数据信号振幅;及 

一逻辑单元,耦接于该第一传输总线,用以通过该第一传输总线存取该种型式的存储单元数组。 

2.如权利要求1所述的高速存储芯片模块,其特征在于,该第一传输总线是用以传送伴随该多个存储单元数组集成电路的一第一组平行数据,且该第一传输总线的总线宽度是大于每一存储单元数组集成电路的输入/输出数据总线的总线宽度。 

3.如权利要求1所述的高速存储芯片模块,其特征在于,还包括: 

一第二传输总线,耦接于该逻辑单元,具有一第二可编程的传送或接收数据速率、一第二可编程的传送或接收数据信号振幅,其中该逻辑单元另用以通过该第二传输总线转换该第一组平行数据成为一第二组平行资料。 

4.如权利要求3所述的高速存储芯片模块,其特征在于,该第二传输总线具有一第二可编程的数据宽度与一第二可编程的位置宽度,以及该第一传输总线具有一第一可编程的数据宽度与一第一可编程的位置宽度。 

5.如权利要求4所述的高速存储芯片模块,其特征在于,该第一可编程的传送或接收数据速率、该第一可编程的传送或接收数据信号振幅、该第一可编程的数据宽度与该第一可编程的位置宽度具有第一默认值,且该 第二可编程的传送或接收数据速率、该第二可编程的传送或接收数据信号振幅、该第二可编程的数据宽度与该第二可编程的位置宽度具有第二默认值。 

6.如权利要求3所述的高速存储芯片模块,其特征在于,该第一传输总线和该第二传输总线的可编程功能是有关于可一次编程、可多次编程、一快闪存储器、一嵌入式存储器、一反保险丝、一缓存器、一韧体或一软件。 

7.如权利要求1所述的高速存储芯片模块,其特征在于,围绕或部分围绕该多个存储单元数组集成电路中的每一个存储单元数组集成电路的主动电路区的非主动电路区内具有至少一直接硅晶穿孔,且该主动电路区是用以形成该存储单元数组集成电路的至少一主动组件。 

8.如权利要求7所述的高速存储芯片模块,其特征在于,该至少一直接硅晶穿孔是用以连接一电源或一地端。 

9.如权利要求7所述的高速存储芯片模块,其特征在于,该存储单元数组集成电路的一角具有一方向识别标示,其中该方向识别标示是由包括一雷射步骤的制程所形成。 

10.如权利要求7所述的高速存储芯片模块,其特征在于,该存储单元数组集成电路的一角具有一方向识别标示,其中该方向识别标示包括至少一切割边缘、一画线、一孔洞或任一样式。 

11.如权利要求7所述的高速存储芯片模块,其特征在于,该存储单元数组集成电路的一角具有一识别标示,其中该识别标示是由包括一直接硅晶穿孔步骤的制程所形成。 

12.如权利要求1所述的高速存储芯片模块,其特征在于,围绕或部分围绕该逻辑单元的主动电路区的非主动电路区内具有至少一直接硅晶穿孔,且该主动电路区是用以形成该逻辑单元的至少一主动组件,其中该至少一直接硅晶穿孔是用以连接一电源或一地端。 

13.如权利要求12所述的高速存储芯片模块,其特征在于,该逻辑单元包括一直接硅晶穿孔以连接该多个存储单元数组集成电路中的一存储单元数组集成电路,以及还包括一打线衬垫以连接另一集成电路,其中该另一集成电路具有一模拟功能、一数字信号处理功能、一通信功能、一无线保真功能、一电源管理功能、一数字模拟混合功能、一无线射频功能或一微机电系统功能。 

14.如权利要求7或12所述的高速存储芯片模块,其特征在于,该非主动电路区的宽度小于50um。 

15.如权利要求7或12所述的高速存储芯片模块,其特征在于,该至少一直接硅晶穿孔的宽度小于20um。 

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