[实用新型]可重组态的高速存储芯片模块和电子系统装置

说明书

技术领域

本实用新型是有关于一种高速存储芯片模块和具有高速存储芯片模块的电子系统装置，尤指一种耗电较少、具有较高的传输效率、具有电磁干扰的屏蔽效果、具有较佳的散热效果以及具有隔离外界噪声的功能的高速存储芯片模块和具有高速存储芯片模块的电子系统装置。 

背景技术

一般说来，存储器通常会基于特定工业标准(例如联合电子设备工程会议(Joint Electronic Device Engineering Council,JEDEC))而被设计成独立于逻辑单元的标准存储器。亦即基于特定工业标准，存储器是被设计成适用于各种不同逻辑单元的标准存储器，而不是被设计成适用于特定逻辑单元。这些常见的标准(例如业界所熟知的总线宽度、信号振幅以及操作频率等)决定了存储器总线宽度、给定的信号振幅以及给定的传送数据速率，使得存储器模块具有较低的可制造性，较低的弹性，以及在不同的制程技术世代和不同的应用中较高的迁移成本。 

在现有技术中，存储器的半导体制程世代通常与逻辑单元的半导体制程世代不同，亦即整合较先进半导体制程世代的存储芯片模块可能会遇到散热不易、较高功耗和噪声干扰，所以现有技术在存储芯片模块上仍旧面临许多制造上的困难。 

实用新型内容

本实用新型的一实施例提供一种可重组态的高速存储芯片模块。该高速存储芯片模块包括一种型式的存储单元数组、一第一传输总线及一逻辑单元。该种型式的存储单元数组包括多个存储单元数组集成电路；该第一传输总线 是耦接于该种型式的存储单元数组，具有一第一可编程的传送或接收数据速率、一第一可编程的传送或接收数据信号振幅；该逻辑单元是耦接于该第一传输总线，用以通过该第一传输总线存取该种型式的存储单元数组。 

本实用新型的另一实施例提供一种具有高速存储芯片模块的电子系统装置。该电子系统装置包括一集成电路处理器、一种型式的存储单元数组、一第一传输总线及一逻辑单元。该种型式的存储单元数组包括多个存储单元数组集成电路；第一传输总线是耦接于该种型式的存储单元数组，具有与该集成电路处理器所包括的一韧体或一软件相关的一第一可编程的传送或接收数据速率、一第一可编程的传送或接收数据信号振幅；该逻辑单元是耦接于该第一传输总线，用以通过该第一传输总线存取该种型式的存储单元数组。 

本实用新型提供一种高速存储芯片模块和具有高速存储芯片模块的电子系统装置。该高速存储芯片模块和该电子系统装置具有下列优点：第一、因为一第一传输总线具有一第一可编程的传送或接收数据速率、一第一可编程的传送或接收数据信号振幅、一第一可编程的总线宽度、一第一可编程的数据宽度与一第一可编程的位置宽度的部份或全部，以及一第二传输总线具有一第二可编程的传送或接收数据速率、一第二可编程的传送或接收数据信号振幅、一第二可编程的总线宽度、一第二可编程的数据宽度与一第二可编程的位置宽度的部份或全部，所以本实用新型在操作时，耗电较少、具有较高的传输效率、适用于各种不同的集成电路处理器(或芯片系统处理器)、具有较低的成本以及具有较高的效能；第二、因为本实用新型可利用每一个存储单元数组的非主动电路区内的多个直接硅晶穿孔或一逻辑单元的非主动电路区内的多个直接硅晶穿孔形成一金属栅栏，所以本实用新型具有较佳的电磁干扰的屏蔽效果、具有较佳的散热能力以及具有基于今日常用的电磁学原理的隔离外界噪声的功能。因此，相较于现有技术，本实用新型耗电较少、具有较高的传输效率、适用于各种不同的集成电路处理器(或芯片系统处理器)、具有较低的成本、具有较高的效能、具有电磁干扰的屏蔽效果、具有较佳的散热能力以及具有隔离外界噪声的功能，以及可被应用在包括各种不同的应用集成电路处理器(或各种不同的芯片系统处理器)、逻辑单元或存储芯片模块的 可携式电子系统装置。 

附图说明

图1是为本实用新型的一实施例说明一种高速存储芯片模块的示意图。 

图2是为说明高速存储芯片模块的横切面的示意图。 

图3是为本实用新型的另一实施例说明高速存储芯片模块的横切面的示意图。 

图4是为本实用新型的另一实施例说明高速存储芯片模块的横切面的示意图。 

图5是为本实用新型的另一实施例说明高速存储芯片模块的横切面的示意图。 

图6是为本实用新型的另一实施例说明高速存储芯片模块的横切面的示意图。 

图7是为说明存储单元数组集成电路和存储单元数组集成电路中的每一个存储单元数组集成电路对应第一密封环与逻辑单元对应第二密封环的示意图。