[实用新型]一种微机电传声器芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及传声器技术领域，特别涉及一种微机电传声器芯片。

背景技术

微机电系统（MEMS，Micro-Electro-Mechanical Systems），又称为微机械或微系统，是指可批量制作的，集微型机构、微型传感器、微型执行器以及信号处理和控制电路、直至接口、通信和电源等于一体的微型器件或系统。

传声器，又称为麦克风，是将声音信号转换为电信号的能量转换器件。

目前，随着手机、笔记本电脑等便携式电子产品的高性能要求，对电子产品内部的电子元器件如传声器（麦克风）等零部件的性能要求更为严格。而微机电传声器芯片因其高性能的特点得到了广泛应用。

在传统结构的微机电传声器芯片中，一般是直接在阻挡层（又称为绝缘层）上生长振膜，振膜周边固定。这种结构在有限的振动空间内振膜的应力难以得到最大程度的释放，振膜的顺性较差，灵敏度低，而且对于振膜在下，背极在上的结构，需要制作专门的电极连接振膜，工艺复杂。

实用新型内容

本实用新型提供了一种微机电传声器芯片，以解决上述的振膜的应力不能最大程度释放，灵敏度低，工艺复杂的问题。

为达到上述目的本实用新型的技术方案是这样实现的：

本实用新型公开了一种微机电传声器芯片，包括：基底、阻挡层、支撑层、背极板、振膜、第一金属电极和第二金属电极；

其中，基底上表面为阻挡层，阻挡层之上为支撑层，支撑层之上为背极板；

基底、阻挡层和支撑层的中心有一贯通孔，为背腔；

背极板由绝缘层和导电层构成，绝缘层在上，导电层在下；其中导电层分为两部分，一部分在绝缘层下并在背腔中分形成悬臂，振膜悬设在该悬臂上，另一部分设置绝缘层下的与振膜振动区域所对应的位置以及与第一金属电极和第二金属电极对应的位置；

背极板的绝缘层上有向下竖直开的上电极孔和下电极孔；上电极孔穿透绝缘层，第一金属电极设置在上电极孔中与导电层直接接触；下电极孔穿透绝缘层，第二金属电极设置在下电极孔中与导电层直接接触。

可选地，所述基底为氮化硅。

可选地，所述阻挡层是氧化硅膜，或者是多晶硅和氮化硅的复合膜。

可选地，所述振膜是多晶硅膜。

可选地，所述支撑层为绝缘材料。

可选地，所述支撑层为氧化硅。

可选地，所述背极板的中部与振膜对应的位置，设置有多个声孔。

可选地，所述背极板的导电层为多晶硅；

所述背极板的绝缘层为氮化硅。

可选地，导电层的一部分在绝缘层下并在背腔中分形成4个悬臂，振膜悬设在该4个悬臂上。

由上述可见，本实用新型的这种包括基底、阻挡层、支撑层、背极板、振膜、第一金属电极和第二金属电极的微机电传声器芯片，基底上表面为阻挡层，阻挡层之上为支撑层，支撑层之上为背极板，背极板由绝缘层和导电层构成，绝缘层在上，导电层在下；其中导电层分为两部分，一部分在绝缘层下并在背腔中分形成悬臂，振膜悬设在该悬臂上，另一部分设置绝缘层下的与振膜振动区域所对应的位置的技术方案，由于振膜悬设于背极板的导电层形成的悬臂上，因此振膜的应力能够得到最大程度的释放，振膜的顺性更强，灵敏度提高，同时电路设计简单，简化了生产工艺。

附图说明

图1是本实用新型实施例中的一种微机电传声器芯片的导电层分布的俯视示意图；

图2是本实用新型实施例中的一种微机电传声器芯片沿图1中CD虚线的剖面图；

图3是本实用新型实施例中的一种微机电传声器芯片沿图1中AB虚线的剖面图；

图4A是本实用新型实施例中的微机电传声器芯片的制作过程的第一示例图；

图4B是本实用新型实施例中的微机电传声器芯片的制作过程的第二示例图；

图4C是本实用新型实施例中的微机电传声器芯片的制作过程的第三示例图；

图4D1是本实用新型实施例中的微机电传声器芯片的制作过程的第四示例AB线剖面图；

图4D2是本实用新型实施例中的微机电传声器芯片的制作过程的第四示例CD线剖面图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。

图1是本实用新型实施例中的一种微机电传声器芯片的导电层分布的俯视示意图。图2是本实用新型实施例中的一种微机电传声器芯片沿图1中CD虚线的剖面图。图3是本实用新型实施例中的一种微机电传声器芯片沿图1中AB虚线的剖面图。