[实用新型]一种背发射极太阳能电池有效
申请号: | 201220616938.2 | 申请日: | 2012-11-20 |
公开(公告)号: | CN203038932U | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 金井升;许佳平;黄纪德;王单单;蒋方丹 | 申请(专利权)人: | 上饶光电高科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 334100 江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发射极 太阳能电池 | ||
1.一种背发射极太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池包括:
基底,所述基底包括半导体衬底、位于所述半导体衬底正面的减反射层、位于所述半导体衬底背面的钝化层,该基底上具有多个贯穿减反射层、半导体衬底和钝化层的通孔,且所述钝化层上还具有多个仅贯穿其自身的开口;
位于所述半导体衬底通孔内的导电电极,所述导电电极充满所述通孔;
与所述导电电极电性相连的多个第一背接触电极;
位于所述钝化层的开口内的多个第二背接触电极,所述第二背接触电极充满所述开口,并且与所述第一背接触电极绝缘;
位于所述半导体衬底背表面内且与该半导体衬底欧姆接触的局部背发射极,所述局部背发射极与所述钝化层的开口区域相对应,且与所述第二背接触电极电性相连;
与导电电极电性相连的多个细栅,所述细栅穿透所述减反射层,且与所述半导体衬底电性相连。
2.根据权利要求1所述的背发射极太阳能电池,其特征在于,所述多个第一背接触电极中的部分第一背接触电极位于所述钝化层上的通孔区域,且直接与所述导电电极接触。
3.根据权利要求1所述的背发射极太阳能电池,其特征在于,所述多个细栅中的部分细栅位于所述减反射层上的通孔区域,且直接与所述导电电极接触。
4.根据权利要求1所述的背发射极太阳能电池,其特征在于,所述半导体衬底包括本体层和前表面场,该前表面场位于所述本体层和所述减反射层之间,该前表面场的掺杂类型与所述本体层的掺杂类型相同,且该前表面场的掺杂浓度大于所述本体层的掺杂浓度。
5.根据权利要求4所述的背发射极太阳能电池,其特征在于,所述本体层、细栅、导电电极和前表面场的掺杂类型与第一背接触电极的掺杂类型相同,且与第二背接触电极的掺杂类型相反。
6.根据权利要求5所述的背发射极太阳能电池,其特征在于,所述第二背接触电极的掺杂类型与所述局部背发射极的掺杂类型相同。
7.根据权利要求6所述的背发射极太阳能电池,其特征在于,所述半导体衬底的材料为n型单晶硅或n型多晶硅,所述本体层为n型掺杂,所述第二背接触电极为p型掺杂。
8.根据权利要求7所述的背发射极太阳能电池,其特征在于,所述局部背电极和第二背接触电极的材料为铝或硼铝混合物。
9.根据权利要求7所述的背发射极太阳能电池,其特征在于,所述第一背接触电极、导电电极和细栅中的至少一种的材料为银。
10.根据权利要求1所述的背发射极太阳能电池,其特征在于,与导电电极连接的细栅宽度大于导电通孔的宽度。
11.根据权利要求1所述的背发射极太阳能电池,其特征在于,所述钝化层的材料为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅,所述减反射层的材料为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的