[实用新型]一种背发射极太阳能电池

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域，更具体的说是涉及一种背发射极太阳能电池。 

背景技术

根据太阳能电池衬底的导电类型不同，可以把太阳能电池分为p型和n型太阳能电池两种。相对于p型太阳能电池，n型太阳能电池的硅片本身不含或者含极少量的硼元素，不容易形成硼氧复合对，因此硼氧复合对引起的转换效率衰减作用会很弱，不存在光致衰减的问题。但另一方面，硅片的厚度越来越薄，由此传统晶体硅太阳电池结构呈现出新的问题：一是表面复合速率的影响越来越显著；二是丝网印刷全铝电场引起的电池弯曲越来越严重。 

为解决上述电池弯曲越来越严重的问题，现有技术中提供了一种n型晶体硅局部铝背发射极太阳能电池的制备方法，采用该方法形成的n型晶体硅局部铝背发射极太阳能电池的结构如图1所示，其中包括，n型硅片4、位于n型硅片4正面的n+磷前表面场3、位于n+磷前表面场3表面上的表面织构化的氮化硅叠层膜2、位于表面织构化的氮化硅叠层膜2表面上的前银电极1、位于n型硅片4背面的氮化硅叠层膜5、位于氮化硅叠层膜5表面的背铝电极7、穿透氮化+硅叠层膜5且与n型硅片4欧姆接触的p+铝局部发射极6，其中背铝电极7和p+铝局部发射极6为采用丝网印刷工艺，在背面开孔的硅片上一次印刷并烧结形成的。 

具体的，该结构采用了n型硅片，在背面采用激光或者丝网印刷穿透性浆料的办法进行局部开孔或开槽，将铝浆填充到硅片背面的开孔或开槽内并烧结，得到局部铝发射极，即在硅片背面形成局部金属接触。由于背面局部铝发射极减少了硅片背面的铝发射极与硅片的接触面积，从而减少了因为p+重掺杂带来的复合，减小了复合电流，同时减小了因为硅和铝热膨胀系数不一样而带来的电池弯曲，提高了背面p-n结的性能。 

但是在实际使用过程中发现，采用上述结构的太阳能电池的转换效率仍有待提高。 

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供一种背发射极太阳能电池，该太阳能电池正面只存在细栅，而省略了主栅，从而减小太阳能电池正面的遮光面积，提高太阳能电池的效率。 

为实现上述目的，本实用新型提供如下方案： 

一种背发射极太阳能电池，所述太阳能电池包括： 

基底，所述基底包括半导体衬底、位于所述半导体衬底正面的减反射层、位于所述半导体衬底背面的钝化层，该基底上具有多个贯穿减反射层、半导体衬底和钝化层的通孔，且所述钝化层上还具有多个仅贯穿其自身的开口； 

位于所述半导体衬底通孔内的导电电极，所述导电电极充满所述通孔； 

与所述导电电极电性相连的多个第一背接触电极； 

位于所述钝化层的开口内的多个第二背接触电极，所述第二背接触电极充满所述开口，并且与所述第一背接触电极绝缘； 

位于所述半导体衬底背表面内且与该半导体衬底欧姆接触的局部背发射极，所述局部背发射极与所述钝化层的开口区域相对应，且与所述第二背接触电极电性相连； 

与导电电极电性相连的多个细栅，所述细栅穿透所述减反射层，且与所述半导体衬底电性相连。 

优选地，所述多个第一背接触电极中的部分第一背接触电极位于所述钝化层上的通孔区域，且直接与所述导电电极接触。 

优选地，根据权利要求1所述的背发射极太阳能电池，其特征在于，所述多个细栅中的部分细栅位于所述减反射层上的通孔区域，且直接与所述导电电极接触。 

优选地，根据权利要求1所述的背发射极太阳能电池，其特征在于，所述半导体衬底包括本体层和前表面场，该前表面场位于所述本体层和所述减反射层之间，该前表面场的掺杂类型与所述本体层的掺杂类型相同，且该前表面场的掺杂浓度大于所述本体层的掺杂浓度。 

优选地，所述本体层、细栅、导电电极和前表面场的掺杂类型与第一背接触电极的掺杂类型相同，且与第二背接触电极的掺杂类型相反。 

优选地，所述第二背接触电极的掺杂类型与所述局部背发射极的掺杂类型相同。 

优选地，所述半导体衬底的材料为n型单晶硅或n型多晶硅，所述本体层为n型掺杂，所述第二背接触电极为p型掺杂。 

优选地，所述局部背电极和第二背接触电极的材料为铝或硼铝混合物。 

优选地，所述第一背接触电极、导电电极和细栅中的至少一种的材料为银。 

优选地，与导电电极连接的细栅宽度大于导电通孔的宽度。 

优选地，所述钝化层的材料为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，所述减反射层的材料为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。