[实用新型]一种RF-CMOS工艺的光通信跨阻放大器的版图结构

权利要求书

1.一种RF-CMOS工艺的光通信跨阻放大器的版图结构，其特征在于，包括第一版图区(001)、第二版图区(002)、第三版图区(003)、第四版图区(004)、第五版图区(005)、第六版图区(006)、第七版图区(007)、第八版图区(008)、第九版图区(009)、第十版图区(010)、第十一版图区(011)、第十二版图区(012)、第十三版图区(013)、第十四版图区(014)、第十五版图区(015)、第十六版图区(016)、第十七版图区(017)和第十八版图区(018)；所述第十七版图区(017)、第十五版图区(015)、第十二版图区(012)和第十一版图区(011)依次相连位于所述跨阻放大器版图结构的上部；所述第九版图区（009）、第十版图区（010）、第三版图区（003）和第一版图区（001）依次相连位于所述跨阻放大器版图结构的中上部；所述第八版图区（008）位于所述跨阻放大器版图结构的中部；所述第十四版图区（014）、第六版图区（006）和第七版图区（007）依次相连位于所述跨阻放大器版图结构的中下部；所述第十六版图区（016）、第十三版图区（013）、第五版图区（005）、第四版图区（004）和第二版图区（002）依次相连位于所述跨阻放大器版图结构的下部；所述第十八版图区(018)位于所述跨阻放大器版图结构的四周。

2.如权利要求1所述的一种RF-CMOS工艺的光通信跨阻放大器的版图结构，其特征在于，作为核心板块的第七版图区（007）设置于跨阻放大器版图结构的中心位置，且与作为供电模块的第四版图区（004）紧密相连。

3.如权利要求1或2所述的一种RF-CMOS工艺的光通信跨阻放大器的版图结构，其特征在于，所述第八版图区（008）与所述第九版图区（009）紧密相连。

4.如权利要求1所述的一种RF-CMOS工艺的光通信跨阻放大器的版图结构，其特征在于，所述第七版图区（007）包括跨阻放大器电路；第八版图区（008）包括单转双差分电路；第十五版图区（015）和第十三版图区（013）包括输出级驱动电路。

5.如权利要求1所述的一种RF-CMOS工艺的光通信跨阻放大器的版图结构，其特征在于，所述第十五版图区（015）和第十三版图区（013）呈对称分布；所述第八版图区（008）到第十五版图区（015）的距离与到第十三版图区（013）的距离相同。

6.如权利要求1所述的一种RF-CMOS工艺的光通信跨阻放大器的版图结构，其特征在于，所述第九版图区（009）包括自动增益控制电路，且第九版图区（009）设置在主通道的信号走向上。

7.如权利要求1所述的一种RF-CMOS工艺的光通信跨阻放大器的版图结构，其特征在于，第十一版图区（011）、第十版图区（010）和第一版图区（001）包括直流失调消除电路；第五版图区（005）包括光电二极管电流检测电路；第二版图区（002）、第三版图区（003）、第四版图区（004）、第十四版图区（014）、第十六版图区（016）和第十七版图区（017）包括电压调整电路；第十三版图区（013）和第十五版图区（015）包括输出级驱动电路；第九版图区（009）包括自动增益控制电路；第十二版图区（012）和第六版图区（006）包括静噪电路和逻辑控制电路；第十八版图区（018）包括过压保护电路。

8.如权利要求1所述的一种RF-CMOS工艺的光通信跨阻放大器的版图结构，其特征在于，所述第十八版图区（018）包括芯片的12个输入输出引线端、probe探针测试点和滤波电容。

9.如权利要求8所述的一种RF-CMOS工艺的光通信跨阻放大器的版图结构，其特征在于，所述第十八版图区（018）的12个输入输出引线端和probe探针测试点设置于芯片四周。

10.如权利要求8或9所述的一种RF-CMOS工艺的光通信跨阻放大器的版图结构，其特征在于，所述第十八版图区（018）的输入输出引线端设置有静电保护电路和压焊垫。