[实用新型]一种RF-CMOS工艺的光通信跨阻放大器的版图结构

说明书

技术领域

本实用新型属于光通信物理层集成电路领域，尤其涉及一种RF-CMOS工艺的光通信跨阻放大器的版图结构。

背景技术

由于三网融合的迅速发展，以高清视频、3D视频、交互视频为代表的宽带业务已经兴起，同时云计算、云存储要求带宽满足其海量信息传送的需求，终端用户对带宽需求已经在向100M/s升级，现有的以ADSL（非对称数字用户线）为主的宽带接入方式已经很难满足用户对高带宽、双向传输能力以及安全性等方面的要求。各国电信运营商把关注的目光投向了FTTH（光纤到户），计划利用光纤这一迄今为止最好的传输媒质来突破接入的 “瓶颈”。FTTH被视为下一代宽带接入技术的代表，是未来“最后一公里”的最终形式，欧美和亚太地区的很多国家也纷纷将FTTH上升为国家战略，将FTTH（接入速率100M以上）作为未来国家信息高速公路的战略基础设施进行巨额投资，加快部署进程，以提升在全球信息新时代的竞争力。

表一 产品所面向主要应用的带宽需求。

应用所需带宽对应的用户普通电话30K家庭拨号上网56-512K家庭ADSL1M-2M家庭/商业SDTV2M家庭/商业视频监控5M家庭/商业远程教学5-7M政府远程教学5-7M教育HDTV8M家庭/商业远程医疗图像90M医疗

光传输物理层芯片包括跨阻放大器TIA、限幅放大器LA、激光驱动器LDD三种，它们关系到光信号的传输质量，因此光网络设备、光收发模块都对这些IC芯片提出了苛刻的要求，比如信号的灵敏度、功耗的要求，当然成本也是重要的一方面。其中跨阻放大器位于接收机的最前端，是光接收机中最重要的芯片，它的噪声及动态范围性能直接决定了光接收机的灵敏度和动态范围。由于跨阻放大器对噪声和带宽的要求，所以传统上一般采用SiGe BiCMOS工艺设计，但随着RF-CMOS工艺的发展，尤其是其低成本的优势，采用RF-CMOS工艺来取代SiGe BiCMOS工艺已非常有必要。