[实用新型]一种半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

衬底(100)，所述衬底（100）包括位线方向和字线方向；

栅堆叠，位于所述衬底(100)之上，所述栅堆叠由第一绝缘层（110）和浮栅、第二绝缘层（170）和控制栅（180）从下往上依次堆叠而成；

所述浮栅侧面在所述字线方向具有一个以上的凸起，在所述位线方向上具有一个以上的凹陷，其中所述凸起部分或凹陷部分的厚度占浮栅总厚度的40~60%；

源/漏区(310)，在所述位线方向位于所述栅堆叠两侧的衬底(100)中。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述浮栅在第一绝缘层（110）上依次包括第一至第三层材料层；

在字线方向，所述第二材料层相对于第一和第三材料层形成凸起；

在位线方向，所述第二材料层相对于第一和第三材料层形成凹陷。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：

所述浮栅侧壁在同一层面在第一方向上的凸起并且在第二方向凹陷。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第二层材料层的厚度占浮栅总厚度的40~60%。