[实用新型]电池漏电检测电路有效
申请号: | 201220638180.2 | 申请日: | 2012-11-28 |
公开(公告)号: | CN203117397U | 公开(公告)日: | 2013-08-07 |
发明(设计)人: | 房传礼;赵星;仝利锋 | 申请(专利权)人: | 凯迈(洛阳)电子有限公司 |
主分类号: | G01R31/36 | 分类号: | G01R31/36 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 471003 洛*** | 国省代码: | 河南;41 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电池 漏电 检测 电路 | ||
1.一种电池漏电检测电路,其特征在于其包括:
光MOSFET开关电路,由多个光MOSFET管组成;及
分压电阻网络,由多个精密电阻组成,与光MOSFET开关电路连接。
2.根据权利要求1所述的电池漏电检测电路,其特征在于,其中该光MOSFET开关电路包括光MOSFET管Q1、光MOSFET管Q2、光MOSFET管Q3及光MOSFET管Q4,而该分压电阻网络包括精密电阻R1、精密电阻R2、精密电阻R3、精密电阻R4、精密电阻R5、精密电阻R6及精密电阻R7;
其中,该光MOSFET管Q1连接精密电阻R1和精密电阻R2,精密电阻R2的另一端连接着精密电阻R3,精密电阻R3的另一端同时连接精密电阻R4和光MOSFET管Q4,光MOSFET管Q4的另一端连接车体地极,精密电阻R4的另一端连接精密电阻R5,精密电阻R5的另一端连接光MOSFET管Q2,光MOSFET管Q2的另一端同时连接精密电阻R6和光MOSFET管Q3,而精密电阻R6和光MOSFET管Q3的另一端同时连接精密电阻R7。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于凯迈(洛阳)电子有限公司,未经凯迈(洛阳)电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220638180.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。