[实用新型]一种八英寸硅单晶硅片多线切割机

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体技术领域，尤其是涉及一种八英寸硅单晶硅片多线切割机。 

背景技术

经过几十年的快速发展，半导体单晶硅的切割由最初的内（外）圆切割技术发展为目前普遍采用的多线切割技术，在成本降低以及产品质量提高方面都取得极大的进步。 

作为半导体硅材料加工的关键技术-多线切割技术近年来得到飞速发展，随着大直径单晶硅的批量生产，满足大直径硅片切割技术成为迫切解决的技术难题。日本进口MWM442DM多线切割机广泛用于对硅单晶硅片的加工，其切割精度和切割效率都较高，但无法完成对八英寸硅单晶硅片的加工。 

另外，在加工8英寸单晶硅片，配合适当的切割工艺可获得更好的硅片参数：TTV≤15um、warp≤30um，硅片的warp、BOW等几何参数是在单晶硅切割过程中产生，后续无法进行改良，如果硅片warp得不到满足，将会带来非常大的经济损失，整颗NTD、气掺单晶硅将会报废。 

发明内容

本实用新型要解决的问题是提供一种八英寸硅单晶硅片多线切割机。 

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：一种八英寸硅单晶硅片多线切割机，包括导轨丝杠、工作台、砂浆喷嘴、槽轮和接片槽；所述导轨丝杠设于工作台上，所述导轨丝杠与工作台间从上到下依次设有工作台铁垫和绝缘垫，所述工作台配有砂浆喷嘴，所述砂浆喷嘴下设有接片槽，所述接片槽的两侧设有槽轮，所述槽轮上部布有线网，所述工作台的下表面的中间位置设有一倒梯型内凹槽，用于夹持工件。 

所述砂浆喷嘴由两根水平管和九根下砂管组成，所述第一水平管下表面与第一至五根所述下砂管的上端垂直相交，所述第一至五根下砂管的下端又与第二水平管的上表面相交，所述第二水平管长于第一水平管，所述第二水平管的下表面与第六至九根所述下砂管垂直相交，所述第六至九根下砂管平均分为两组，每组均位于所述第二水平管的两端，两两下砂管间平行。 

进一步，所述槽轮直径为250±5mm。 

所述接片槽深230±5mm。 

本实用新型具有的优点和积极效果是：由于采用上述技术方案，对现有技术关键部位进行巧妙改造，完全可以满足大直径硅片生产的需求，并使其具备更高的加工能力，达到节约成本，提高效率的目的。 

附图说明

图1是本实用新型的主视结构示意图 

图2是本实用新型工作台的结构示意图 

图3是本实用新型砂浆喷嘴的俯视结构示意图 

图中： 

1、导轨丝杠          2、线网            3、工作台铁垫 

4、绝缘垫            5、工作台          6、砂浆喷嘴 

7、槽轮              8、接片槽          9、水平管 

10、水平管           11、下砂管         12、下砂管 

13、倒梯型内凹槽 

具体实施方式

实施例1 

如图1所示，本实用新型包括导轨丝杠1、工作台5、砂浆喷嘴6、槽轮7和接片槽8；导轨丝杠1设于工作台5上，导轨丝杠1与工作台5间从上到下依次设有工作台铁垫3和绝缘垫4，工作台5配有砂浆喷嘴6，砂浆喷 嘴6下设有接片槽8，接片槽8深230±5mm；接片槽8的两侧设有槽轮7，槽轮7直径为250±5mm。 

如图1、2所示，槽轮7上部布有线网2，工作台5的下表面的中间位置设有一倒梯型内凹槽13，用于夹持工件。 

如图3所示，砂浆喷嘴6由两根水平管9、10和九根下砂管11、12组成，水平管9下表面与第一至五根下砂管12的上端垂直相交，第一至五根下砂管12的下端又与水平管10的上表面相交，水平管10长于水平管9，水平管10的下表面与第六至九根下砂管11垂直相交，第六至九根下砂管11平均分为两组，每组均位于水平管10的两端，两两下砂管11、12间平行。