[实用新型]一种BGA加热炉有效
| 申请号： | 201220641255.2 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN203055876U | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 许玲华 | 申请（专利权）人： | 西安晶捷电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/60 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 贺建斌 |
| 地址： | 710077 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 bga 加热炉 | ||
【权利要求书】：
1.一种BGA加热炉，其特征在于：包括箱体（1）、加热板（2）、冷却板（3）、箱盖（4）、加热丝（5）、温度传感器（6）、热管底座（7）、散热片（8）和热管（9），加热板（2）与冷却板（3）并列排列在加热炉的箱体（1）上，加热板（2）与冷却板（3）均为铝制板，加热板（2）的铝板内熔铸了加热丝（5），加热丝（5）在铝板内呈盘旋状，加热板（2）的两侧均安装温度传感器（6），温度传感器为热电偶；
所述冷却板（3）下方为冷却装置，冷却装置采用热管冷却装置，热管冷却装置包括热管（9）、热管底座（7）和散热片（8），热管（9）两侧均安装热管底座（7），热管（9）间等距离安装两片以上的散热片（8）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
