[实用新型]一种薄型LED芯片封装

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种薄型LED芯片封装，属于LED技术领域。

背景技术

1962年,GE、Monsanto、IBM的联合实验室开发出了发红光的磷砷化镓（GaAsP）半导体化合物，从此可见光发光二极管步入商业化发展进程。1965年，全球第一款商用化发光二极管诞生，它是用锗材料做成的可发出红外光的LED，当时的单价约为45美元。其后不久，Monsanto和惠普公司推出了用GaAsP材料制作的商用化红色LED。这种LED的效率为每瓦大约0.1流明，比一般的60至100瓦白炽灯的每瓦15流明要低上100多倍。1968年，LED的研发取得了突破性进展，利用氮掺杂工艺使GaAsP器件的效率达到了1流明/瓦，并且能够发出红光、橙光和黄色光。1971，业界又推出了具有相同效率的GaP绿色芯片LED。到20世纪70年代，由于LED器件在家庭与办公设备中的大量应用，LED的价格直线下跌。事实上，LED在那个时代主打市场是数字与文字显示技术应用领域。1990年，业界又开发出了能够提供相当于最好的红色器件性能的AlInGaP技术，这比当时标准的GaAsP器件性能要高出10倍。今天，效率最高的LED是用透明衬底AlInGaP材料做的。在1991年至2001年期间，材料技术、芯片尺寸和外形方面的进一步发展使商用化LED的光通量提高了将近30倍。1994年，日本科学家中村修二在GaN基片上研制出了第一只蓝色发光二极管，由此引发了对GaN基LED研究和开发的热潮。1996年由日本Nichia公司（日亚）成功开发出白色LED。20世纪90年代后期，研制出通过蓝光激发YAG荧光粉产生白光的LED，但色泽不均匀，使用寿命短，价格高。随着技术的不断进步，近年来白光LED的发展相当迅速，白光LED的发光效率已经达到38lm/W，实验室研究成果可以达到70lm/W，大大超过白炽灯，向荧光灯逼近。 

近几年来，随着人们对半导体发光材料研究的不断深入，LED制造工艺的不断进步和新材料（氮化物晶体和荧光粉）的开发和应用，各种颜色的超高亮度LED取得了突破性进展，其发光效率提高了近1000倍，色度方面已实现了可见光波段的所有颜色，其中最重要的是超高亮度白光LED的出现，使LED应用领域跨越至高效率照明光源市场成为可能。曾经有人指出，高亮度LED将是人类继爱迪生发明白炽灯泡后，最伟大的发明之一。

然而任何伟大的发明都有其缺陷和不足，当然LED也不例外，如LED芯片的光色均匀性，就是大家一直在探索的，LED芯片因其一般是通过荧光粉激发出光，所以其出光效果会在很大程度上受荧光粉的影响。LED芯片的出光均匀性是我们目前亟待解决的。

发明内容

本实用新型的目的，公开了一种薄型LED芯片封装，如图1所示，薄型LED芯片封装俯视示意图，其由芯片和支架构成，所述的支架为3528型支架，芯片为1016芯片，支架的高度由传统的1.8mm改成为1.0mm，荧光胶的厚度与杯口持平，以此增加出光的均匀性，因传统的灯杯比较高，荧光胶的高度相对在杯口的下方，相对荧光胶在杯壁周围一圈的高度高于中间的，如图2所示，相对周围的荧光粉比中间的荧光粉多，在激发LED芯片的出光时，导致LED芯片出光不均匀。本实用新型在点胶过程中使胶量与杯口持平，可有效防止芯片表面荧光粉量的不均匀。

本实用新型中的荧光胶，其荧光粉沉淀于胶的底部近芯片处，每个芯片在点完荧光胶后静止6小时以上，以此用于荧光粉沉淀，荧光粉沉淀于荧光胶底部可有效防止批量封装生产的芯片光色的稳定性，减少因荧光胶中荧光粉分布不同而导致LED芯片出光效率的个体差异。

本实用新型的发明人经无数次实验发现芯片P、N电极上的引线为倒钩形时，芯片的出光率最佳。

本实用新型中倒钩形的引线，其钩分别在P、N电极上，以此加强金线与电极的接触的牢固性。

本实用新型中倒钩形的引线，其引线最高处到芯片垂直距离小于4mil，大于2mil，在此区间的引线最牢固，并且对出光率的影响最低。

附图说明

本实用新型中附图仅为了对本发明进一步解释，不得作为本实用新型发明范围的限制。

图1 薄型LED芯片封装俯视示意图

图2 传统LED芯片荧光胶在灯杯中的分布

图3 本发明LED芯片荧光胶在灯杯中的分布

图4 芯片引线示意图

1为支架灯杯侧壁；2为芯片；3为负极金属基底；4为正极金属基底；5为荧光胶；6为沉淀后的荧光胶；7为引线。

具体实施方式