[实用新型]一种打印头保护装置

权利要求书

1.一种打印头保护装置，其特征在于，包括：

CPU、打印头、温度保护电路、DC-DC转换电路及用于检测打印头温度的温度传感器，所述温度保护电路的第一输入端接输入电源，所述温度保护电路的输出端分别与打印头的第一输入端及DC-DC转换电路的输入端连接，所述DC-DC转换电路的输出端分别与打印头的第二输入端及CPU的输入端连接，所述CPU与打印头连接，所述温度传感器的输出端与温度保护电路的第二输入端连接。

2.根据权利要求1所述的一种打印头保护装置，其特征在于：所述温度保护电路包括双电压比较器（U1A）、NPN型三极管（VT2）、P沟道增强型MOSFET（U10）、第一电阻（R27）、第二电阻（R28）、第三电阻（R29）、第四电阻（R30）、第五电阻（R32）、第六电阻（R33）、第一电容（C20）、第二电容（E4）及第三电容（E5）；

所述温度传感器的输出端与双电压比较器（U1A）的第三引脚连接，所述双电压比较器（U1A）的第二引脚通过第一电阻（R27）接直流电源，所述双电压比较器（U1A）的第二引脚还分别通过第二电阻（R28）及第一电容（C20）接地，所述双电压比较器（U1A）的第四引脚接地，所述双电压比较器（U1A）的第八引脚接直流电源；

所述双电压比较器（U1A）的第一引脚依次通过第三电阻（R29）及第二电容（E4）接地，所述双电压比较器（U1A）的第一引脚还依次通过第三电阻（R29）及第四电阻（R30）与NPN型三极管（VT2）的基极连接，所述NPN型三极管（VT2）的发射极接地，所述NPN型三极管（VT2）的集电极通过第五电阻（R32）与P沟道增强型MOSFET（U10）的第四引脚连接；

所述P沟道增强型MOSFET（U10）的第四引脚还通过第六电阻（R33）与输入电源连接，所述P沟道增强型MOSFET（U10）的第一引脚、第二引脚及第三引脚均与输入电源连接，所述P沟道增强型MOSFET（U10）的第五引脚、第六引脚、第七引脚及第八引脚连接在一起作为驱动电源分别与打印头的第一输入端及DC-DC转换电路的输入端连接，且所述P沟道增强型MOSFET（U10）的第五引脚、第六引脚、第七引脚及第八引脚均通过第三电容（E5）接地。

3.根据权利要求2所述的一种打印头保护装置，其特征在于：所述双电压比较器（U1A）的型号为LM393。

4.根据权利要求2所述的一种打印头保护装置，其特征在于：所述P沟道增强型MOSFET（U10）的型号为CEM9435A。

5.根据权利要求2所述的一种打印头保护装置，其特征在于：所述DC-DC转换电路包括低压差线性稳压器（U）、第四电容（E1）及第五电容（C13），所述低压差线性稳压器（U）的第一引脚接地，所述低压差线性稳压器（U）的第三引脚接驱动电源，所述低压差线性稳压器（U）的第二引脚作为逻辑电源分别与CPU的输入端及打印头的第二输入端连接，所述低压差线性稳压器（U）的第二引脚还通过相互并联的第四电容（E1）和第五电容（C13）接地。

6.根据权利要求5所述的一种打印头保护装置，其特征在于：所述低压差线性稳压器（U）的型号为AMS1117-5V。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的一种打印头保护装置，其特征在于：所述打印头的型号为FTP628MCL101。